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	VSSB420S-M3/5BT Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE SCHOTTKY 200V 1.8A DO214AA 下载数据手册二极管整流器	+10：￥2.733148 +300：￥1.848275 +800：￥1.356773 +3200：￥0.983125 +6400：￥0.933999	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： TMBS® 零件状态：在售二极管类型：肖特基电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1.8A（DC）不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.9 V 4 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： - 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 150 µA 200 V 不同 Vr、F 时电容： 120pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AA，SMB 供应商器件封装： DO-214AA（SMB）工作温度 - 结： -40°C # 150°C 温度：

自营现货库存

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	VSSB420S-M3/5BT Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE SCHOTTKY 200V 1.8A DO214AA 下载数据手册未分类	+5：￥1.478787 +50：￥1.255871 +150：￥1.160258 +500：￥1.041151	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： TMBS® 零件状态：在售二极管类型：肖特基电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1.8A（DC）不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.9 V 4 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： - 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 150 µA 200 V 不同 Vr、F 时电容： 120pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AA，SMB 供应商器件封装： DO-214AA（SMB）工作温度 - 结： -40°C # 150°C 温度：

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	VSSB420S-M3/5BT Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE SCHOTTKY 200V 1.8A DO214AA 下载数据手册未分类	+100：￥3.46911 +500：￥2.610631 +1000：￥1.952135 +3200：￥1.64635 +9600：￥1.622776	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： TMBS® 零件状态：在售二极管类型：肖特基电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1.8A（DC）不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.9 V 4 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： - 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 150 µA 200 V 不同 Vr、F 时电容： 120pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AA，SMB 供应商器件封装： DO-214AA（SMB）工作温度 - 结： -40°C # 150°C 温度：
	VSSB420S-M3/5BT Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE SCHOTTKY 200V 1.8A DO214AA 下载数据手册未分类	+100：￥2.731962 +500：￥2.056932 +1000：￥1.540101 +3200：￥1.329057 +9600：￥1.234204	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： TMBS® 零件状态：在售二极管类型：肖特基电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1.8A（DC）不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.9 V 4 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： - 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 150 µA 200 V 不同 Vr、F 时电容： 120pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AA，SMB 供应商器件封装： DO-214AA（SMB）工作温度 - 结： -40°C # 150°C 温度：
	VSSB420S-M3/5BT Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE SCHOTTKY 200V 1.8A DO214AA 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： TMBS® 零件状态：在售二极管类型：肖特基电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1.8A（DC）不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.9 V 4 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： - 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 150 µA 200 V 不同 Vr、F 时电容： 120pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AA，SMB 供应商器件封装： DO-214AA（SMB）工作温度 - 结： -40°C # 150°C 温度：
	VSSB420S-M3/5BT Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE SCHOTTKY 200V 1.8A DO214AA 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： TMBS® 零件状态：在售二极管类型：肖特基电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1.8A（DC）不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.9 V 4 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： - 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 150 µA 200 V 不同 Vr、F 时电容： 120pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AA，SMB 供应商器件封装： DO-214AA（SMB）工作温度 - 结： -40°C # 150°C 温度：
	VSSB420S-M3/5BT Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE SCHOTTKY 200V 1.8A DO214AA 下载数据手册二极管整流器	+1：￥1.568813 +200：￥1.203236 +1600：￥1.046378 +3200：￥0.910472	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： TMBS® 零件状态：在售二极管类型：肖特基电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1.8A（DC）不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.9 V 4 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： - 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 150 µA 200 V 不同 Vr、F 时电容： 120pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AA，SMB 供应商器件封装： DO-214AA（SMB）工作温度 - 结： -40°C # 150°C 温度：
	VSSB420S-M3/5BT Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE SCHOTTKY 200V 1.8A DO214AA 下载数据手册二极管整流器	+9600：￥6.673477	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： TMBS® 零件状态：在售二极管类型：肖特基电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1.8A（DC）不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.9 V 4 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： - 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 150 µA 200 V 不同 Vr、F 时电容： 120pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AA，SMB 供应商器件封装： DO-214AA（SMB）工作温度 - 结： -40°C # 150°C 温度：

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	VSSB420S-M3/5BT Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE SCHOTTKY 200V 1.8A DO214AA 下载数据手册	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： TMBS® 零件状态：在售二极管类型：肖特基电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1.8A（DC）不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.9 V 4 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： - 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 150 µA 200 V 不同 Vr、F 时电容： 120pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AA，SMB 供应商器件封装： DO-214AA（SMB）工作温度 - 结： -40°C # 150°C 温度：

自营国内现货

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	VSSB420S-M3/5BT Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE SCHOTTKY 200V 1.8A DO214AA 下载数据手册二极管整流器	+3200：￥0.671633 +6400：￥0.643711 +9600：￥0.57937 +32000：￥0.570756 +80000：￥0.536417	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： TMBS® 零件状态：在售二极管类型：肖特基电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1.8A（DC）不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.9 V 4 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： - 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 150 µA 200 V 不同 Vr、F 时电容： 120pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AA，SMB 供应商器件封装： DO-214AA（SMB）工作温度 - 结： -40°C # 150°C 温度：

VSSB420S-M3/5BT参数规格

属性	参数值
品牌:	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	TMBS®
零件状态:	在售
二极管类型:	肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:	200 V
电流 - 平均整流 (Io):	1.8A（DC）
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):	1.9 V 4 A
速度:	快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr):	-
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:	150 µA 200 V
不同 Vr、F 时电容:	120pF 4V，1MHz
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	DO-214AA，SMB
供应商器件封装:	DO-214AA（SMB）
工作温度 - 结:	-40°C # 150°C
温度: