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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	VP2206N2 Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 750MA 3TO-39 下载数据手册	+1：￥114.86364 +200：￥44.451712 +500：￥42.892187 +1000：￥42.117731	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Microchip Technology 包装：袋封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 750mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 900 毫欧 3.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 10mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 450 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 360mW（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-39 封装/外壳： TO-205AD，TO-39-3 金属罐温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	VP2206N2 Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 750MA 3TO-39 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥161.86391	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Microchip Technology 包装：袋封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 750mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 900 毫欧 3.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 10mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 450 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 360mW（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-39 封装/外壳： TO-205AD，TO-39-3 金属罐温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	VP2206N2 Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 750MA 3TO-39 下载数据手册晶体管	+1：￥279.241002 +25：￥255.997274 +100：￥231.804819	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Microchip Technology 包装：袋封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 750mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 900 毫欧 3.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 10mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 450 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 360mW（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-39 封装/外壳： TO-205AD，TO-39-3 金属罐温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	VP2206N2 MICROCHIP(美国微芯) 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+1：￥228.950437 +10：￥204.265439 +25：￥185.195984 +50：￥184.377051 +100：￥166.828475	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

VP2206N2参数规格

属性	参数值
品牌:	Microchip Technology
包装:	袋
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	750mA（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	900 毫欧 3.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.5V 10mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	450 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	360mW（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-39
封装/外壳:	TO-205AD，TO-39-3 金属罐
温度:	-55°C # 150°C（TJ）