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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
V8PAM10-M3/I_二极管整流器
V8PAM10-M3/I
授权代理品牌

DIODE SCHOTTKY 100V 8A DO221BC

二极管整流器

+1:

¥2.93725

+200:

¥1.172059

+500:

¥1.13283

+1000:

¥1.113489

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: eSMP®, TMBS®

零件状态: 在售

二极管类型: 肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 100 V

电流 - 平均整流 (Io): 8A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 780 mV 8 A

速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 200 µA 100 V

不同 Vr、F 时电容: 810pF 4V,1MHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: DO-221BC,SMA 扁平引线裸露焊盘

供应商器件封装: DO-221BC(SMPA)

工作温度 - 结: -40°C # 175°C

温度:

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V8PAM10-M3/I_二极管整流器
V8PAM10-M3/I
授权代理品牌

DIODE SCHOTTKY 100V 8A DO221BC

二极管整流器

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: eSMP®, TMBS®

零件状态: 在售

二极管类型: 肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 100 V

电流 - 平均整流 (Io): 8A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 780 mV 8 A

速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 200 µA 100 V

不同 Vr、F 时电容: 810pF 4V,1MHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: DO-221BC,SMA 扁平引线裸露焊盘

供应商器件封装: DO-221BC(SMPA)

工作温度 - 结: -40°C # 175°C

温度:

Digi-Key
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V8PAM10-M3/I_二极管整流器
授权代理品牌

DIODE SCHOTTKY 100V 8A DO221BC

二极管整流器

+14000:

¥2.210137

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: eSMP®, TMBS®

零件状态: 在售

二极管类型: 肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 100 V

电流 - 平均整流 (Io): 8A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 780 mV 8 A

速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 200 µA 100 V

不同 Vr、F 时电容: 810pF 4V,1MHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: DO-221BC,SMA 扁平引线裸露焊盘

供应商器件封装: DO-221BC(SMPA)

工作温度 - 结: -40°C # 175°C

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Mouser
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V8PAM10-M3/I_未分类
V8PAM10-M3/I
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DIODE SCHOTTKY 100V 8A DO221BC

未分类

+1:

¥8.656416

+10:

¥7.398786

+100:

¥5.161184

+500:

¥4.017883

+1000:

¥2.923584

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: eSMP®, TMBS®

零件状态: 在售

二极管类型: 肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 100 V

电流 - 平均整流 (Io): 8A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 780 mV 8 A

速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 200 µA 100 V

不同 Vr、F 时电容: 810pF 4V,1MHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: DO-221BC,SMA 扁平引线裸露焊盘

供应商器件封装: DO-221BC(SMPA)

工作温度 - 结: -40°C # 175°C

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艾睿
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V8PAM10-M3/I_未分类
V8PAM10-M3/I
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Rectifier Diode Schottky 100V 8A 2-Pin SMPA T/R

未分类

+14000:

¥2.560184

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

V8PAM10-M3/I参数规格

属性 参数值
品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
包装: 卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: eSMP®, TMBS®
零件状态: 在售
二极管类型: 肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 100 V
电流 - 平均整流 (Io): 8A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 780 mV 8 A
速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr): -
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 200 µA 100 V
不同 Vr、F 时电容: 810pF 4V,1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-221BC,SMA 扁平引线裸露焊盘
供应商器件封装: DO-221BC(SMPA)
工作温度 - 结: -40°C # 175°C
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