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自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
VS-8EWF02STR-M3_二极管整流器
VS-8EWF02STR-M3
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 200V 8A D-PAK

二极管整流器

+1:

¥29.153956

+200:

¥11.637543

+500:

¥11.244161

+1000:

¥11.058397

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 200 V

电流 - 平均整流 (Io): 8A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V 8 A

速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 55 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 µA 200 V

不同 Vr、F 时电容: -

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

供应商器件封装: D-PAK(TO-252AA)

工作温度 - 结: -40°C # 150°C

温度:

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
VS-8EWF02STR-M3_二极管整流器
VS-8EWF02STR-M3
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 200V 8A D-PAK

二极管整流器

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 200 V

电流 - 平均整流 (Io): 8A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V 8 A

速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 55 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 µA 200 V

不同 Vr、F 时电容: -

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

供应商器件封装: D-PAK(TO-252AA)

工作温度 - 结: -40°C # 150°C

温度:

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
VS-8EWF02STR-M3_二极管整流器
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 200V 8A D-PAK

二极管整流器

+2000:

¥11.479243

+6000:

¥11.01312

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 200 V

电流 - 平均整流 (Io): 8A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V 8 A

速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 55 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 µA 200 V

不同 Vr、F 时电容: -

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

供应商器件封装: D-PAK(TO-252AA)

工作温度 - 结: -40°C # 150°C

温度:

Digi-Key
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VS-8EWF02STR-M3_二极管整流器
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 200V 8A D-PAK

二极管整流器

+2000:

¥19.836094

+6000:

¥19.030634

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 200 V

电流 - 平均整流 (Io): 8A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V 8 A

速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 55 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 µA 200 V

不同 Vr、F 时电容: -

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

供应商器件封装: D-PAK(TO-252AA)

工作温度 - 结: -40°C # 150°C

温度:

Mouser
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VS-8EWF02STR-M3
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 200V 8A D-PAK

未分类

+2000:

¥27.724997

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 200 V

电流 - 平均整流 (Io): 8A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V 8 A

速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 55 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 µA 200 V

不同 Vr、F 时电容: -

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

供应商器件封装: D-PAK(TO-252AA)

工作温度 - 结: -40°C # 150°C

温度:

艾睿
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VS-8EWF02STR-M3_未分类
VS-8EWF02STR-M3
授权代理品牌

Rectifier Diode Switching Si 200V 8A 200ns 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

未分类

+2000:

¥35.662268

+4000:

¥35.297882

+6000:

¥34.949339

+8000:

¥34.600797

+10000:

¥34.252254

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

VS-8EWF02STR-M3参数规格

属性 参数值
品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
包装: 卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 200 V
电流 - 平均整流 (Io): 8A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V 8 A
速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 55 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 µA 200 V
不同 Vr、F 时电容: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
供应商器件封装: D-PAK(TO-252AA)
工作温度 - 结: -40°C # 150°C
温度: