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自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
VS-8EWS12STR-M3_二极管整流器
VS-8EWS12STR-M3
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK

二极管整流器

+1:

¥27.09963

+200:

¥10.817997

+500:

¥10.457397

+1000:

¥10.271634

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 1200 V

电流 - 平均整流 (Io): 8A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V 8 A

速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 50 µA 1200 V

不同 Vr、F 时电容: -

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

供应商器件封装: D-PAK(TO-252AA)

工作温度 - 结: -55°C # 150°C

温度:

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
VS-8EWS12STR-M3_二极管整流器
VS-8EWS12STR-M3
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK

二极管整流器

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 1200 V

电流 - 平均整流 (Io): 8A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V 8 A

速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 50 µA 1200 V

不同 Vr、F 时电容: -

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

供应商器件封装: D-PAK(TO-252AA)

工作温度 - 结: -55°C # 150°C

温度:

自营 国内现货
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VS-8EWS12STR-M3_二极管整流器
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK

二极管整流器

+2000:

¥11.337028

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 1200 V

电流 - 平均整流 (Io): 8A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V 8 A

速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 50 µA 1200 V

不同 Vr、F 时电容: -

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

供应商器件封装: D-PAK(TO-252AA)

工作温度 - 结: -55°C # 150°C

温度:

Digi-Key
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VS-8EWS12STR-M3_二极管整流器
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK

二极管整流器

+2000:

¥19.590346

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 1200 V

电流 - 平均整流 (Io): 8A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V 8 A

速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 50 µA 1200 V

不同 Vr、F 时电容: -

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

供应商器件封装: D-PAK(TO-252AA)

工作温度 - 结: -55°C # 150°C

温度:

VS-8EWS12STR-M3_未分类
VS-8EWS12STR-M3
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK

未分类

+2000:

¥18.334561

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Tape & Reel (TR)

Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Mounting Type: Surface Mount

Diode Type: Standard

Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Capacitance @ Vr, F: -

Current - Average Rectified (Io): 8A

Supplier Device Package: D-PAK (TO-252AA)

Operating Temperature - Junction: -55°C # 150°C

Part Status: Active

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A

Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V

VS-8EWS12STR-M3_未分类
VS-8EWS12STR-M3
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK

未分类

+1:

¥34.691912

+10:

¥31.211158

+100:

¥25.088035

+500:

¥20.612316

+1000:

¥18.334446

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Cut Tape (CT)

Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Mounting Type: Surface Mount

Diode Type: Standard

Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Capacitance @ Vr, F: -

Current - Average Rectified (Io): 8A

Supplier Device Package: D-PAK (TO-252AA)

Operating Temperature - Junction: -55°C # 150°C

Part Status: Active

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A

Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V

VS-8EWS12STR-M3_未分类
VS-8EWS12STR-M3
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK

未分类

+1:

¥34.691912

+10:

¥31.211158

+100:

¥25.088035

+500:

¥20.612316

+1000:

¥18.334446

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Digi-Reel®

Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Mounting Type: Surface Mount

Diode Type: Standard

Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Capacitance @ Vr, F: -

Current - Average Rectified (Io): 8A

Supplier Device Package: D-PAK (TO-252AA)

Operating Temperature - Junction: -55°C # 150°C

Part Status: Active

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A

Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V

Mouser
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VS-8EWS12STR-M3_未分类
VS-8EWS12STR-M3
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK

未分类

+1:

¥45.173959

+10:

¥37.565714

+100:

¥29.957468

+500:

¥25.360819

+1000:

¥21.873706

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 1200 V

电流 - 平均整流 (Io): 8A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V 8 A

速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 50 µA 1200 V

不同 Vr、F 时电容: -

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

供应商器件封装: D-PAK(TO-252AA)

工作温度 - 结: -55°C # 150°C

温度:

艾睿
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VS-8EWS12STR-M3_未分类
VS-8EWS12STR-M3
授权代理品牌

Rectifier Diode Switching 1.2KV 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

未分类

+2000:

¥15.984969

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

VS-8EWS12STR-M3参数规格

属性 参数值
品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
包装: 卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 1200 V
电流 - 平均整流 (Io): 8A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V 8 A
速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr): -
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 50 µA 1200 V
不同 Vr、F 时电容: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
供应商器件封装: D-PAK(TO-252AA)
工作温度 - 结: -55°C # 150°C
温度: