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	VS-HFA15TB60-1-M3 Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 600V 15A TO220-3 下载数据手册二极管整流器	+20：￥12.672144 +100：￥10.322496 +200：￥8.500896 +500：￥6.92208 +1000：￥5.280048	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFRED® 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 600 V 电流 - 平均整流 (Io)： 15A（DC）不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 2 V 30 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 60 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 600 V 不同 Vr、F 时电容： - 安装类型：通孔封装/外壳： TO-220-3 供应商器件封装： TO-220-3 工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：

自营现货库存

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	VS-HFA15TB60-1-M3 Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 600V 15A TO220-3 下载数据手册二极管整流器	+1：￥10.129579 +200：￥4.04309 +500：￥3.911963 +1000：￥3.846399	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFRED® 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 600 V 电流 - 平均整流 (Io)： 15A（DC）不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 2 V 30 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 60 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 600 V 不同 Vr、F 时电容： - 安装类型：通孔封装/外壳： TO-220-3 供应商器件封装： TO-220-3 工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：

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	VS-HFA15TB60-1-M3 Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 600V 15A TO220-3 下载数据手册未分类	+10：￥5.373768 +100：￥5.128822 +500：￥4.941528 +1000：￥4.80219	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFRED® 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 600 V 电流 - 平均整流 (Io)： 15A（DC）不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 2 V 30 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 60 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 600 V 不同 Vr、F 时电容： - 安装类型：通孔封装/外壳： TO-220-3 供应商器件封装： TO-220-3 工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：
	VS-HFA15TB60-1-M3 Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 600V 15A TO220-3 下载数据手册二极管整流器	+1：￥5.730244 +100：￥4.584195 +1000：￥4.240381	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFRED® 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 600 V 电流 - 平均整流 (Io)： 15A（DC）不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 2 V 30 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 60 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 600 V 不同 Vr、F 时电容： - 安装类型：通孔封装/外壳： TO-220-3 供应商器件封装： TO-220-3 工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：

Digi-Key

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	VS-HFA15TB60-1-M3 Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 600V 15A TO220-3 下载数据手册二极管整流器	+1：￥15.451291 +50：￥12.366018 +100：￥9.800356 +500：￥8.306564 +1000：￥6.76667	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFRED® 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 600 V 电流 - 平均整流 (Io)： 15A（DC）不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 2 V 30 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 60 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 600 V 不同 Vr、F 时电容： - 安装类型：通孔封装/外壳： TO-220-3 供应商器件封装： TO-220-3 工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	VS-HFA15TB60-1-M3 Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 600V 15A TO220-3 下载数据手册未分类	+1：￥19.645141 +10：￥16.159712 +100：￥12.452484 +500：￥10.551342 +1000：￥8.396713	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFRED® 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 600 V 电流 - 平均整流 (Io)： 15A（DC）不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 2 V 30 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 60 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 600 V 不同 Vr、F 时电容： - 安装类型：通孔封装/外壳： TO-220-3 供应商器件封装： TO-220-3 工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	VS-HFA15TB60-1-M3 VISHAY(威世) 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+50：￥4.811465 +2000：￥4.718039 +3000：￥4.624611 +4000：￥4.577898 +5000：￥4.484471	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

VS-HFA15TB60-1-M3参数规格

属性	参数值
品牌:	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HEXFRED®
零件状态:	在售
二极管类型:	标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:	600 V
电流 - 平均整流 (Io):	15A（DC）
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):	2 V 30 A
速度:	快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr):	60 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:	10 µA 600 V
不同 Vr、F 时电容:	-
安装类型:	通孔
封装/外壳:	TO-220-3
供应商器件封装:	TO-220-3
工作温度 - 结:	-55°C # 150°C
温度: