品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： eSMP®, TMBS®

零件状态： 在售

二极管类型： 肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 120 V

电流 - 平均整流 (Io)： 10A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 820 mV 10 A

速度： 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 400 µA 120 V

不同 Vr、F 时电容： -

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-277，3-PowerDFN

供应商器件封装： TO-277A（SMPC）

工作温度 - 结： -40°C # 150°C

温度：

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： eSMP®, TMBS®

零件状态： 在售

二极管类型： 肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 120 V

电流 - 平均整流 (Io)： 10A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 820 mV 10 A

速度： 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 400 µA 120 V

不同 Vr、F 时电容： -

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-277，3-PowerDFN

供应商器件封装： TO-277A（SMPC）

工作温度 - 结： -40°C # 150°C

温度：

Packaging： Tape & Reel (TR)

Package / Case： TO-277, 3-PowerDFN

Mounting Type： Surface Mount

Diode Type： Schottky

Speed： Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Capacitance @ Vr, F： -

Current - Average Rectified (Io)： 10A

Supplier Device Package： TO-277A (SMPC)

Operating Temperature - Junction： -40°C # 150°C

Part Status： Active

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)： 120 V

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If： 820 mV @ 10 A

Current - Reverse Leakage @ Vr： 400 µA @ 120 V

Packaging： Cut Tape (CT)

Package / Case： TO-277, 3-PowerDFN

Mounting Type： Surface Mount

Diode Type： Schottky

Speed： Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Capacitance @ Vr, F： -

Current - Average Rectified (Io)： 10A

Supplier Device Package： TO-277A (SMPC)

Operating Temperature - Junction： -40°C # 150°C

Part Status： Active

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)： 120 V

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If： 820 mV @ 10 A

Current - Reverse Leakage @ Vr： 400 µA @ 120 V

Packaging： Digi-Reel®

Package / Case： TO-277, 3-PowerDFN

Mounting Type： Surface Mount

Diode Type： Schottky

Speed： Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Capacitance @ Vr, F： -

Current - Average Rectified (Io)： 10A

Supplier Device Package： TO-277A (SMPC)

Operating Temperature - Junction： -40°C # 150°C

Part Status： Active

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)： 120 V

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If： 820 mV @ 10 A

Current - Reverse Leakage @ Vr： 400 µA @ 120 V

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： eSMP®, TMBS®

零件状态： 在售

二极管类型： 肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 120 V

电流 - 平均整流 (Io)： 10A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 820 mV 10 A

速度： 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 400 µA 120 V

不同 Vr、F 时电容： -

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-277，3-PowerDFN

供应商器件封装： TO-277A（SMPC）

工作温度 - 结： -40°C # 150°C

温度：