品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： eSMP®

零件状态： 在售

二极管类型： 肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 45 V

电流 - 平均整流 (Io)： 1A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 530 mV 1 A

速度： 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 250 µA 45 V

不同 Vr、F 时电容： 200pF 4V，1MHz

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： MicroSMP

供应商器件封装： MicroSMP（DO-219AD）

工作温度 - 结： -40°C # 150°C

温度：

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： eSMP®

零件状态： 在售

二极管类型： 肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 45 V

电流 - 平均整流 (Io)： 1A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 530 mV 1 A

速度： 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 250 µA 45 V

不同 Vr、F 时电容： 200pF 4V，1MHz

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： MicroSMP

供应商器件封装： MicroSMP（DO-219AD）

工作温度 - 结： -40°C # 150°C

温度：

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： eSMP®

零件状态： 在售

二极管类型： 肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 45 V

电流 - 平均整流 (Io)： 1A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 530 mV 1 A

速度： 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 250 µA 45 V

不同 Vr、F 时电容： 200pF 4V，1MHz

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： MicroSMP

供应商器件封装： MicroSMP（DO-219AD）

工作温度 - 结： -40°C # 150°C

温度：

包装： Cut Tape (CT) Alternate Packaging

系列： eSMP®

安装类型： Surface Mount

工作温度-结： -40°C # 150°C

封装/外壳： DO-219AD

供应商器件封装： MicroSMP (DO-219AD)

包装： Digi-Reel® Alternate Packaging

系列： eSMP®

安装类型： Surface Mount

工作温度-结： -40°C # 150°C

封装/外壳： DO-219AD

供应商器件封装： MicroSMP (DO-219AD)

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： eSMP®

零件状态： 在售

二极管类型： 肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 45 V

电流 - 平均整流 (Io)： 1A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 530 mV 1 A

速度： 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 250 µA 45 V

不同 Vr、F 时电容： 200pF 4V，1MHz

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： MicroSMP

供应商器件封装： MicroSMP（DO-219AD）

工作温度 - 结： -40°C # 150°C

温度：