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	VN2222LL-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 230MA TO92-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.933508 +10：￥4.807999 +30：￥4.250708	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Microchip Technology 包装：袋封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 230mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 60 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 400mW（Ta），1W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-92-3 封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	VN2222LL-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 230MA TO92-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.84968	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Microchip Technology 包装：袋封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 230mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 60 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 400mW（Ta），1W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-92-3 封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
VN2222LL-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 230MA TO92-3 下载数据手册未分类	+25：￥4.62399	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Microchip Technology 包装：袋封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 230mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 60 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 400mW（Ta），1W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-92-3 封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）温度： -55°C # 150°C（TJ）
VN2222LL-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 230MA TO92-3 下载数据手册未分类	+400：￥4.747219 +1500：￥4.50277 +5000：￥4.093976	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Microchip Technology 包装：袋封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 230mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 60 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 400mW（Ta），1W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-92-3 封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）温度： -55°C # 150°C（TJ）
VN2222LL-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 230MA TO92-3 下载数据手册未分类	+25：￥4.884192 +100：￥4.44121 +1000：￥4.41842	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Microchip Technology 包装：袋封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 230mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 60 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 400mW（Ta），1W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-92-3 封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	VN2222LL-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 230MA TO92-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.153909 +25：￥2.628258 +100：￥2.394635	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Microchip Technology 包装：袋封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 230mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 60 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 400mW（Ta），1W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-92-3 封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	VN2222LL-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 230MA TO92-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.261264 +25：￥6.884386 +100：￥6.272441	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Microchip Technology 包装：袋封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 230mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 60 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 400mW（Ta），1W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-92-3 封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	VN2222LL-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 230MA TO92-3 下载数据手册未分类	+1：￥8.954763 +25：￥7.462302 +100：￥6.798986	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Microchip Technology 包装：袋封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 230mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 60 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 400mW（Ta），1W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-92-3 封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	VN2222LL-G 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.23A 3-Pin TO-92 Bag 下载数据手册未分类	+1：￥6.967631 +10：￥6.939074 +25：￥5.908208 +100：￥5.118637	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	VN2222LL-G MICROCHIP(美国微芯) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.23A 3-Pin TO-92 Bag 下载数据手册未分类	+18：￥8.01402	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

VN2222LL-G参数规格

属性	参数值
品牌:	Microchip Technology
包装:	袋
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	230mA（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	7.5 欧姆 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	60 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	400mW（Ta），1W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-92-3
封装/外壳:	TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
VN2222LL-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 230MA TO92-3 下载数据手册未分类	+25：￥4.62399	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Microchip Technology 包装：袋封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 230mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 60 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 400mW（Ta），1W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-92-3 封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）温度： -55°C # 150°C（TJ）
VN2222LL-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 230MA TO92-3 下载数据手册未分类	+400：￥4.747219 +1500：￥4.50277 +5000：￥4.093976	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Microchip Technology 包装：袋封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 230mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 60 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 400mW（Ta），1W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-92-3 封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）温度： -55°C # 150°C（TJ）
VN2222LL-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 230MA TO92-3 下载数据手册未分类	+25：￥4.884192 +100：￥4.44121 +1000：￥4.41842	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Microchip Technology 包装：袋封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 230mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 60 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 400mW（Ta），1W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-92-3 封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）温度： -55°C # 150°C（TJ）