VP2450N8-G厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

搜索 VP2450N8-G 共 7 条相关记录

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	VP2450N8-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 500V 160MA TO243AA 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.433837 +10：￥7.194493 +30：￥6.511804 +100：￥5.734589 +500：￥5.387993	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Microchip Technology 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 160mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 欧姆 100mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 190 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.6W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-243AA（SOT-89）封装/外壳： TO-243AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	VP2450N8-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 500V 160MA TO243AA 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.591195	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Microchip Technology 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 160mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 欧姆 100mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 190 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.6W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-243AA（SOT-89）封装/外壳： TO-243AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	VP2450N8-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 500V 160MA TO243AA 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥11.25859	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Microchip Technology 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 160mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 欧姆 100mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 190 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.6W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-243AA（SOT-89）封装/外壳： TO-243AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
VP2450N8-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 500V 160MA TO243AA 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥19.454806	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Microchip Technology 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 160mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 欧姆 100mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 190 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.6W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-243AA（SOT-89）封装/外壳： TO-243AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
VP2450N8-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 500V 160MA TO243AA 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥25.579468 +25：￥21.376268 +100：￥19.454806	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-243AA 供应商器件封装： TO-243AA (SOT-89)
VP2450N8-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 500V 160MA TO243AA 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥25.579468 +25：￥21.376268 +100：￥19.454806	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-243AA 供应商器件封装： TO-243AA (SOT-89)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	VP2450N8-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 500V 160MA TO243AA 下载数据手册未分类	+1：￥33.643657 +25：￥28.115356 +100：￥25.588133 +2000：￥25.588133	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Microchip Technology 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 160mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 欧姆 100mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 190 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.6W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-243AA（SOT-89）封装/外壳： TO-243AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

VP2450N8-G参数规格

属性	参数值
品牌:	Microchip Technology
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	160mA（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	30 欧姆 100mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	190 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1.6W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TO-243AA（SOT-89）
封装/外壳:	TO-243AA
温度:	-55°C # 150°C（TJ）