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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	VS-150EBU02 Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GP 200V 150A POWIRTAB 下载数据手册二极管整流器	+1：￥123.333001 +10：￥82.22192 +30：￥68.518307	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：散装封装/外壳： * 系列： FRED Pt® 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 150A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.13 V 150 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 45 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 50 µA 200 V 不同 Vr、F 时电容： - 安装类型：底座安装封装/外壳： PowerTab™，PowIRtab™ 供应商器件封装： PowIRtab™ 工作温度 - 结： -55°C # 175°C 温度：

自营现货库存

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	VS-150EBU02 Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GP 200V 150A POWIRTAB 下载数据手册二极管整流器	+1：￥55.707435 +10：￥48.659982 +30：￥44.353789	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：散装封装/外壳： * 系列： FRED Pt® 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 150A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.13 V 150 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 45 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 50 µA 200 V 不同 Vr、F 时电容： - 安装类型：底座安装封装/外壳： PowerTab™，PowIRtab™ 供应商器件封装： PowIRtab™ 工作温度 - 结： -55°C # 175°C 温度：

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	VS-150EBU02 Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GP 200V 150A POWIRTAB 下载数据手册未分类	+25：￥70.938928 +50：￥68.810048 +250：￥59.973769	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：散装封装/外壳： * 系列： FRED Pt® 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 150A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.13 V 150 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 45 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 50 µA 200 V 不同 Vr、F 时电容： - 安装类型：底座安装封装/外壳： PowerTab™，PowIRtab™ 供应商器件封装： PowIRtab™ 工作温度 - 结： -55°C # 175°C 温度：
	VS-150EBU02 Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GP 200V 150A POWIRTAB 下载数据手册未分类	+10：￥78.4895 +100：￥66.323095 +375：￥57.925105 +1125：￥51.034369	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：散装封装/外壳： * 系列： FRED Pt® 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 150A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.13 V 150 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 45 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 50 µA 200 V 不同 Vr、F 时电容： - 安装类型：底座安装封装/外壳： PowerTab™，PowIRtab™ 供应商器件封装： PowIRtab™ 工作温度 - 结： -55°C # 175°C 温度：

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	VS-150EBU02 Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GP 200V 150A POWIRTAB 下载数据手册二极管整流器	+1：￥45.97479 +10：￥41.548221 +100：￥34.397347 +500：￥30.08016	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：散装封装/外壳： * 系列： FRED Pt® 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 150A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.13 V 150 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 45 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 50 µA 200 V 不同 Vr、F 时电容： - 安装类型：底座安装封装/外壳： PowerTab™，PowIRtab™ 供应商器件封装： PowIRtab™ 工作温度 - 结： -55°C # 175°C 温度：

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	VS-150EBU02 Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GP 200V 150A POWIRTAB 下载数据手册二极管整流器	+1：￥112.466518 +10：￥101.637958 +100：￥84.145024 +500：￥73.584042	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：散装封装/外壳： * 系列： FRED Pt® 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 150A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.13 V 150 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 45 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 50 µA 200 V 不同 Vr、F 时电容： - 安装类型：底座安装封装/外壳： PowerTab™，PowIRtab™ 供应商器件封装： PowIRtab™ 工作温度 - 结： -55°C # 175°C 温度：

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	VS-150EBU02 Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GP 200V 150A POWIRTAB 下载数据手册未分类	+1：￥114.598172 +10：￥103.521768 +100：￥87.475184 +375：￥76.398782 +1125：￥67.31045	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：散装封装/外壳： * 系列： FRED Pt® 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 150A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.13 V 150 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 45 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 50 µA 200 V 不同 Vr、F 时电容： - 安装类型：底座安装封装/外壳： PowerTab™，PowIRtab™ 供应商器件封装： PowIRtab™ 工作温度 - 结： -55°C # 175°C 温度：

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	VS-150EBU02 授权代理品牌	Rectifier Diode Switching 200V 150A 45ns 2-Pin(1+Tab) Power Tab 下载数据手册未分类	+1：￥103.612369 +10：￥93.372362 +100：￥67.94 +500：￥66.04418 +1000：￥63.51642	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

VS-150EBU02参数规格

属性	参数值
品牌:	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
包装:	散装
封装/外壳:	*
系列:	FRED Pt®
零件状态:	在售
二极管类型:	标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:	200 V
电流 - 平均整流 (Io):	150A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):	1.13 V 150 A
速度:	快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr):	45 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:	50 µA 200 V
不同 Vr、F 时电容:	-
安装类型:	底座安装
封装/外壳:	PowerTab™，PowIRtab™
供应商器件封装:	PowIRtab™
工作温度 - 结:	-55°C # 175°C
温度: