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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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VSS8D2M6HM3/I 授权代理品牌 | +: ¥ +: ¥ +: ¥ +: ¥ +: ¥ |
VSS8D2M6HM3/I参数规格
属性 | 参数值 |
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品牌: | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
包装: | 剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS® |
零件状态: | 在售 |
二极管类型: | 肖特基 |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): | 60 V |
电流 - 平均整流 (Io): | 2A |
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): | 480 mV 1 A |
速度: | 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) |
反向恢复时间 (trr): | - |
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: | 200 µA 60 V |
不同 Vr、F 时电容: | 430pF 4V,1MHz |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | DO-221AC,SMA 扁平引线 |
供应商器件封装: | SlimSMAW(DO-221AD) |
工作温度 - 结: | -40°C # 175°C |
温度: |