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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	VN3205N8-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 50V 1.5A SOT89-3 下载数据手册	+1：￥24.968812 +10：￥21.996595 +30：￥20.237304 +100：￥18.445232 +500：￥17.625687	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Microchip Technology 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 50 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.5A（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 300 毫欧 1.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 10mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 300 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.6W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-243AA（SOT-89）封装/外壳： TO-243AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	VN3205N8-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 50V 1.5A SOT89-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥9.281335	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Microchip Technology 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 50 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.5A（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 300 毫欧 1.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 10mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 300 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.6W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-243AA（SOT-89）封装/外壳： TO-243AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
VN3205N8-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 50V 1.5A SOT89-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥16.038116	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Microchip Technology 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 50 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.5A（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 300 毫欧 1.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 10mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 300 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.6W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-243AA（SOT-89）封装/外壳： TO-243AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
VN3205N8-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 50V 1.5A SOT89-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥21.252355 +25：￥17.669108 +100：￥16.038116	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-243AA 供应商器件封装： TO-243AA (SOT-89)
VN3205N8-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 50V 1.5A SOT89-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-243AA 供应商器件封装： TO-243AA (SOT-89)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	VN3205N8-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 50V 1.5A SOT89-3 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Microchip Technology 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 50 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.5A（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 300 毫欧 1.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 10mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 300 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.6W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-243AA（SOT-89）封装/外壳： TO-243AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	VN3205N8-G 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 50V 1.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R 下载数据手册未分类	+2000：￥13.62826 +4000：￥13.571705	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	VN3205N8-G MICROCHIP(美国微芯) 授权代理品牌	Microchip N沟道MOS管, Vds=50 V, SOT-89封装, 通孔安装下载数据手册未分类	+2000：￥10.721767	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

VN3205N8-G参数规格

属性	参数值
品牌:	Microchip Technology
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	50 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	1.5A（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	300 毫欧 1.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.4V 10mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	300 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1.6W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TO-243AA（SOT-89）
封装/外壳:	TO-243AA
温度:	-55°C # 150°C（TJ）