品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 管件

封装/外壳： *

系列： TMBS®

零件状态： 在售

二极管类型： 肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V

电流 - 平均整流 (Io)： 5A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 880 mV 5 A

速度： 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 150 µA 200 V

不同 Vr、F 时电容： 1216pF 4V，1MHz

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-220-2

供应商器件封装： TO-220AC

工作温度 - 结： -40°C # 175°C

温度：

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 管件

封装/外壳： *

系列： TMBS®

零件状态： 在售

二极管类型： 肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V

电流 - 平均整流 (Io)： 5A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 880 mV 5 A

速度： 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 150 µA 200 V

不同 Vr、F 时电容： 1216pF 4V，1MHz

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-220-2

供应商器件封装： TO-220AC

工作温度 - 结： -40°C # 175°C

温度：

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 管件

封装/外壳： *

系列： TMBS®

零件状态： 在售

二极管类型： 肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V

电流 - 平均整流 (Io)： 5A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 880 mV 5 A

速度： 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 150 µA 200 V

不同 Vr、F 时电容： 1216pF 4V，1MHz

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-220-2

供应商器件封装： TO-220AC

工作温度 - 结： -40°C # 175°C

温度：

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 管件

封装/外壳： *

系列： TMBS®

零件状态： 在售

二极管类型： 肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V

电流 - 平均整流 (Io)： 5A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 880 mV 5 A

速度： 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 150 µA 200 V

不同 Vr、F 时电容： 1216pF 4V，1MHz

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-220-2

供应商器件封装： TO-220AC

工作温度 - 结： -40°C # 175°C

温度：