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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	VN2110K1-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 200MA SOT23-3 下载数据手册	+1：￥2.556981 +10：￥2.087109 +30：￥1.87949 +100：￥1.628163 +500：￥1.507963	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Microchip Technology 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 360mW（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	VN2110K1-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 200MA SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥2.845376	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Microchip Technology 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 360mW（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
VN2110K1-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 200MA SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥6.960544	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Microchip Technology 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 360mW（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
VN2110K1-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 200MA SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.091322 +25：￥7.670804 +100：￥6.960544	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23-3
VN2110K1-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 200MA SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.091322 +25：￥7.670804 +100：￥6.960544	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23-3

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	VN2110K1-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 200MA SOT23-3 下载数据手册未分类	+1：￥9.799716 +10：￥9.65272 +25：￥8.542087 +100：￥8.003101 +250：￥7.872439	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Microchip Technology 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 360mW（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	VN2110K1-G 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 100V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R 下载数据手册未分类	+1：￥7.969941 +10：￥7.889984 +25：￥6.352252 +100：￥5.891074 +250：￥5.656916	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	VN2110K1-G MICROCHIP(美国微芯) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 100V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R 下载数据手册未分类	+3000：￥5.359965 +6000：￥5.164727 +12000：￥4.969488 +24000：￥4.945234	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	VN2110K1-G MICROCHIP(美国微芯) 授权代理品牌	Microchip N沟道MOS管, Vds=100 V, SOT-23, 通孔安装, VN2110K1-G 下载数据手册未分类	+10：￥5.114292 +50：￥5.012911 +100：￥3.155881 +250：￥3.488644 +1000：￥3.415889	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	VN2110K1-G MICROCHIP(美国微芯) 授权代理品牌	Microchip N沟道MOS管, Vds=100 V, SOT-23, 通孔安装, VN2110K1-G 下载数据手册未分类	+3000：￥3.49222	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

VN2110K1-G参数规格

属性	参数值
品牌:	Microchip Technology
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	200mA（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	4 欧姆 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.4V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	50 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	360mW（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-23-3
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）