品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： eSMP®, TMBS®

零件状态： 在售

二极管类型： 肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 100 V

电流 - 平均整流 (Io)： 10A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 680 mV 10 A

速度： 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 150 µA 100 V

不同 Vr、F 时电容： -

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-277，3-PowerDFN

供应商器件封装： TO-277A（SMPC）

工作温度 - 结： -40°C # 150°C

温度：

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： eSMP®, TMBS®

零件状态： 在售

二极管类型： 肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 100 V

电流 - 平均整流 (Io)： 10A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 680 mV 10 A

速度： 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 150 µA 100 V

不同 Vr、F 时电容： -

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-277，3-PowerDFN

供应商器件封装： TO-277A（SMPC）

工作温度 - 结： -40°C # 150°C

温度：

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： eSMP®, TMBS®

零件状态： 在售

二极管类型： 肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 100 V

电流 - 平均整流 (Io)： 10A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 680 mV 10 A

速度： 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 150 µA 100 V

不同 Vr、F 时电容： -

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-277，3-PowerDFN

供应商器件封装： TO-277A（SMPC）

工作温度 - 结： -40°C # 150°C

温度：

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： eSMP®, TMBS®

零件状态： 在售

二极管类型： 肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 100 V

电流 - 平均整流 (Io)： 10A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 680 mV 10 A

速度： 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 150 µA 100 V

不同 Vr、F 时电容： -

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-277，3-PowerDFN

供应商器件封装： TO-277A（SMPC）

工作温度 - 结： -40°C # 150°C

温度：

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： eSMP®, TMBS®

零件状态： 在售

二极管类型： 肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 100 V

电流 - 平均整流 (Io)： 10A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 680 mV 10 A

速度： 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 150 µA 100 V

不同 Vr、F 时电容： -

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-277，3-PowerDFN

供应商器件封装： TO-277A（SMPC）

工作温度 - 结： -40°C # 150°C

温度：

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： eSMP®, TMBS®

零件状态： 在售

二极管类型： 肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 100 V

电流 - 平均整流 (Io)： 10A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 680 mV 10 A

速度： 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 150 µA 100 V

不同 Vr、F 时电容： -

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-277，3-PowerDFN

供应商器件封装： TO-277A（SMPC）

工作温度 - 结： -40°C # 150°C

温度：

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： eSMP®, TMBS®

零件状态： 在售

二极管类型： 肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 100 V

电流 - 平均整流 (Io)： 10A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 680 mV 10 A

速度： 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 150 µA 100 V

不同 Vr、F 时电容： -

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-277，3-PowerDFN

供应商器件封装： TO-277A（SMPC）

工作温度 - 结： -40°C # 150°C

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包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： eSMP®, TMBS®

零件状态： 在售

二极管类型： 肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 100 V

电流 - 平均整流 (Io)： 10A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 680 mV 10 A

速度： 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 150 µA 100 V

不同 Vr、F 时电容： -

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-277，3-PowerDFN

供应商器件封装： TO-277A（SMPC）

工作温度 - 结： -40°C # 150°C

温度：

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： eSMP®, TMBS®

零件状态： 在售

二极管类型： 肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 100 V

电流 - 平均整流 (Io)： 10A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 680 mV 10 A

速度： 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 150 µA 100 V

不同 Vr、F 时电容： -

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-277，3-PowerDFN

供应商器件封装： TO-277A（SMPC）

工作温度 - 结： -40°C # 150°C

温度：

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包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： eSMP®, TMBS®

零件状态： 在售

二极管类型： 肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 100 V

电流 - 平均整流 (Io)： 10A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 680 mV 10 A

速度： 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 150 µA 100 V

不同 Vr、F 时电容： -

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-277，3-PowerDFN

供应商器件封装： TO-277A（SMPC）

工作温度 - 结： -40°C # 150°C

温度：