品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： Bulk

封装/外壳： *

系列： FRED Pt®

零件状态： Active

二极管类型： Standard

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V

电流 - 平均整流 (Io)： 80A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.13 V 80 A

速度： Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢复时间 (trr)： -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 50 µA 200 V

不同 Vr、F 时电容： -

安装类型： Chassis Mount

封装/外壳： PowerTab™, PowIRtab™

供应商器件封装： PowIRtab™

工作温度 - 结： -

温度：

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： Bulk

封装/外壳： *

系列： FRED Pt®

零件状态： Active

二极管类型： Standard

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V

电流 - 平均整流 (Io)： 80A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.13 V 80 A

速度： Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢复时间 (trr)： -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 50 µA 200 V

不同 Vr、F 时电容： -

安装类型： Chassis Mount

封装/外壳： PowerTab™, PowIRtab™

供应商器件封装： PowIRtab™

工作温度 - 结： -

温度：

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： Bulk

封装/外壳： *

系列： FRED Pt®

零件状态： Active

二极管类型： Standard

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V

电流 - 平均整流 (Io)： 80A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.13 V 80 A

速度： Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢复时间 (trr)： -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 50 µA 200 V

不同 Vr、F 时电容： -

安装类型： Chassis Mount

封装/外壳： PowerTab™, PowIRtab™

供应商器件封装： PowIRtab™

工作温度 - 结： -

温度：

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： Bulk

封装/外壳： *

系列： FRED Pt®

零件状态： Active

二极管类型： Standard

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V

电流 - 平均整流 (Io)： 80A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.13 V 80 A

速度： Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢复时间 (trr)： -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 50 µA 200 V

不同 Vr、F 时电容： -

安装类型： Chassis Mount

封装/外壳： PowerTab™, PowIRtab™

供应商器件封装： PowIRtab™

工作温度 - 结： -

温度：