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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	UF3C065030K4S Qorvo US Inc. 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+1：￥250.72621 +210：￥100.039157 +510：￥96.695412 +990：￥95.045394	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	UF3C065030K4S UnitedSiC(碳化硅（SiC）功率半导体制造商) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 85A TO247-4 下载数据手册未分类	+1：￥145.474664 +5：￥135.636565 +10：￥124.510748 +50：￥118.541615 +100：￥116.880184	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： UnitedSiC 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： - 漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 85A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35 毫欧 50A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 6V 10mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 43 nC 12 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1500 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 441W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-4 封装/外壳： TO-247-4 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	UF3C065030K4S UnitedSiC(碳化硅（SiC）功率半导体制造商) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 85A TO247-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥114.85152 +10：￥105.531228 +100：￥89.127287 +500：￥79.284922	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： UnitedSiC 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： - 漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 85A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35 毫欧 50A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 6V 10mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 43 nC 12 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1500 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 441W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-4 封装/外壳： TO-247-4 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	UF3C065030K4S UnitedSiC(碳化硅（SiC）功率半导体制造商) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 85A TO247-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥280.95725 +10：￥258.157347 +100：￥218.028958 +500：￥193.951926	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： UnitedSiC 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： - 漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 85A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35 毫欧 50A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 6V 10mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 43 nC 12 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1500 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 441W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-4 封装/外壳： TO-247-4 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	UF3C065030K4S UnitedSiC(碳化硅（SiC）功率半导体制造商) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 85A TO247-4 下载数据手册未分类	+1：￥338.253523 +25：￥287.621657 +100：￥253.64931 +250：￥219.840291 +600：￥186.031271	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： UnitedSiC 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： - 漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 85A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35 毫欧 50A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 6V 10mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 43 nC 12 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1500 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 441W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-4 封装/外壳： TO-247-4 温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	UF3C065030K4S Qorvo 授权代理品牌	碳化硅肖特基二极管, 650V, 85A, TO-247 下载数据手册未分类	+1：￥172.419242 +5：￥162.303331 +10：￥152.174597 +50：￥145.584511 +100：￥138.994423	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

UF3C065030K4S参数规格

属性	参数值
品牌:	UnitedSiC
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	-
漏源电压（Vdss）:	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	85A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	12V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	35 毫欧 50A，12V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	6V 10mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	43 nC 12 V
Vgs（最大值）:	±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1500 pF 100 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	441W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-247-4
封装/外壳:	TO-247-4
温度:	-55°C # 175°C（TJ）