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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	UF3C065040K3S Qorvo US Inc. 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+1：￥156.806325 +210：￥62.569548 +510：￥60.482439 +990：￥59.444349	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	UF3C065040K3S United Chemi-Con(日本贵弥功) 授权代理品牌	UF3C065040K3S United Silicon Carbide 下载数据手册未分类	+1：￥111.588762	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	UF3C065040K3S UnitedSiC(碳化硅（SiC）功率半导体制造商) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 54A TO247-3 下载数据手册未分类	+1：￥124.155805 +10：￥109.340896 +30：￥108.488115 +120：￥90.934429 +510：￥81.987321	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： UnitedSiC 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： - 漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 54A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 52 毫欧 40A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 6V 10mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 51 nC 15 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1500 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 326W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	UF3C065040K3S UnitedSiC(碳化硅（SiC）功率半导体制造商) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 54A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥79.236413 +25：￥69.918161 +100：￥60.599909 +250：￥51.359705	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： UnitedSiC 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： - 漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 54A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 52 毫欧 40A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 6V 10mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 51 nC 15 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1500 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 326W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	UF3C065040K3S UnitedSiC(碳化硅（SiC）功率半导体制造商) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 54A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥193.83326 +25：￥171.038347 +100：￥148.243433 +250：￥125.639446	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： UnitedSiC 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： - 漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 54A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 52 毫欧 40A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 6V 10mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 51 nC 15 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1500 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 326W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	UF3C065040K3S ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 54A TO247-3 下载数据手册未分类	+1：￥187.561269 +30：￥153.557452	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tube Package / Case： TO-247-3 Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 54A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 52mOhm @ 40A, 12V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 326W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 6V @ 10mA Supplier Device Package： TO-247-3 Grade： - Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 12V Vgs (Max)： ±25V Drain to Source Voltage (Vdss)： 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 51 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1500 pF @ 100 V Qualification： -

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	UF3C065040K3S UnitedSiC(碳化硅（SiC）功率半导体制造商) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 54A TO247-3 下载数据手册未分类	+1：￥203.306272 +25：￥166.492248 +600：￥166.326419 +1200：￥162.346525	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： UnitedSiC 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： - 漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 54A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 52 毫欧 40A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 6V 10mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 51 nC 15 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1500 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 326W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	UF3C065040K3S Qorvo 授权代理品牌	碳化硅肖特基二极管, 650V, 54A, TO-247 下载数据手册未分类	+1：￥118.743112 +5：￥111.002722 +10：￥103.249148 +50：￥100.361335 +100：￥97.460338	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	UF3C065040K3S Qorvo 授权代理品牌	SIC SCHOTTKY DIODE, 650V, 54A, TO-247 下载数据手册未分类	+1：￥127.992473 +5：￥119.648451 +10：￥111.291728 +50：￥103.671617 +100：￥96.051505	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

UF3C065040K3S参数规格

属性	参数值
品牌:	UnitedSiC
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	-
漏源电压（Vdss）:	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	54A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	12V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	52 毫欧 40A，12V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	6V 10mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	51 nC 15 V
Vgs（最大值）:	±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1500 pF 100 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	326W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-247-3
封装/外壳:	TO-247-3
温度:	-55°C # 175°C（TJ）