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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ULQ2003D1013TRY ST(意法半导体) 授权代理品牌	TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO 下载数据手册双极晶体管预偏置	+10：￥4.991904 +100：￥4.243104 +200：￥3.494304 +500：￥3.119904 +800：￥2.870352	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： STMicroelectronics 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q100 零件状态：在售晶体管类型： 7 NPN 达林顿电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.6V 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）： - 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 1000 350mA，2V 功率 - 最大值： - 频率 - 跃迁： - 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 16-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 16-SO 温度： 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ULQ2003D1013TRY STMicroelectronics(意法半导体) 授权代理品牌	TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO 下载数据手册双极晶体管预偏置	+1：￥3.780835 +10：￥3.08149 +30：￥2.72089 +100：￥2.382145 +500：￥2.130818	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： STMicroelectronics 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q100 零件状态：在售晶体管类型： 7 NPN 达林顿电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.6V 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）： - 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 1000 350mA，2V 功率 - 最大值： - 频率 - 跃迁： - 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 16-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 16-SO 温度： 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ULQ2003D1013TRY ST(意法半导体) 授权代理品牌	TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO 下载数据手册双极晶体管预偏置	+1：￥1.42296	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： STMicroelectronics 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q100 零件状态：在售晶体管类型： 7 NPN 达林顿电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.6V 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）： - 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 1000 350mA，2V 功率 - 最大值： - 频率 - 跃迁： - 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 16-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 16-SO 温度： 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ULQ2003D1013TRY STMicroelectronics(意法半导体) 授权代理品牌	TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： STMicroelectronics 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q100 零件状态：在售晶体管类型： 7 NPN 达林顿电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.6V 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）： - 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 1000 350mA，2V 功率 - 最大值： - 频率 - 跃迁： - 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 16-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 16-SO 温度： 150°C（TJ）
	ULQ2003D1013TRY STMicroelectronics(意法半导体) 授权代理品牌	TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO 下载数据手册未分类	+1：￥1.90983 +50：￥1.430476 +1250：￥1.295987 +2500：￥1.167294 +15000：￥1.14748	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： STMicroelectronics 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q100 零件状态：在售晶体管类型： 7 NPN 达林顿电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.6V 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）： - 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 1000 350mA，2V 功率 - 最大值： - 频率 - 跃迁： - 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 16-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 16-SO 温度： 150°C（TJ）
	ULQ2003D1013TRY ST(意法半导体) 授权代理品牌	TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO 下载数据手册双极晶体管预偏置	+1：￥1.77626 +50：￥1.350023 +1250：￥1.217559 +2500：￥1.097305 +15000：￥1.079153	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： STMicroelectronics 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q100 零件状态：在售晶体管类型： 7 NPN 达林顿电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.6V 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）： - 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 1000 350mA，2V 功率 - 最大值： - 频率 - 跃迁： - 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 16-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 16-SO 温度： 150°C（TJ）
	ULQ2003D1013TRY ST(意法半导体) 授权代理品牌	TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO 下载数据手册双极晶体管预偏置	+2500：￥1.259049 +7500：￥1.201785 +12500：￥1.178987 +25000：￥1.144629	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： STMicroelectronics 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q100 零件状态：在售晶体管类型： 7 NPN 达林顿电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.6V 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）： - 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 1000 350mA，2V 功率 - 最大值： - 频率 - 跃迁： - 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 16-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 16-SO 温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ULQ2003D1013TRY ST(意法半导体) 授权代理品牌	TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO 下载数据手册双极晶体管预偏置	+2500：￥2.963485 +5000：￥2.815307 +12500：￥2.709507 +25000：￥2.624824	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： STMicroelectronics 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q100 零件状态：在售晶体管类型： 7 NPN 达林顿电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.6V 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）： - 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 1000 350mA，2V 功率 - 最大值： - 频率 - 跃迁： - 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 16-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 16-SO 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ULQ2003D1013TRY ST(意法半导体) 授权代理品牌	TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO 下载数据手册双极晶体管预偏置	+2500：￥5.120893 +5000：￥4.864842 +12500：￥4.68202 +25000：￥4.535688	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： STMicroelectronics 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q100 零件状态：在售晶体管类型： 7 NPN 达林顿电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.6V 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）： - 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 1000 350mA，2V 功率 - 最大值： - 频率 - 跃迁： - 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 16-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 16-SO 温度： 150°C（TJ）
	ULQ2003D1013TRY ST(意法半导体) 授权代理品牌	TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO 下载数据手册双极晶体管预偏置	+1：￥12.080221 +10：￥10.785022 +25：￥10.242035 +100：￥8.412565 +250：￥7.864349	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q100 安装类型： Surface Mount 工作温度： 150°C (TJ) 封装/外壳： 16-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 16-SO

ULQ2003D1013TRY参数规格

属性	参数值
品牌:	STMicroelectronics
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q100
零件状态:	在售
晶体管类型:	7 NPN 达林顿
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:	500mA
电压 - 集射极击穿（最大值）:	50V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:	1.6V 500µA，350mA
电流 - 集电极截止（最大值）:	-
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:	1000 350mA，2V
功率 - 最大值:	-
频率 - 跃迁:	-
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	16-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装:	16-SO
温度:	150°C（TJ）