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ULQ2003D1013TRY_双极晶体管预偏置
ULQ2003D1013TRY
授权代理品牌

TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO

双极晶体管预偏置

+10:

¥3.3638

+200:

¥2.2748

+800:

¥1.6698

+2500:

¥1.21

+5000:

¥1.1495

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: STMicroelectronics

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q100

零件状态: 在售

晶体管类型: 7 NPN 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1.6V 500µA,350mA

电流 - 集电极截止(最大值): -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 1000 350mA,2V

功率 - 最大值: -

频率 - 跃迁: -

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 16-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

供应商器件封装: 16-SO

温度: 150°C(TJ)

自营 现货库存
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ULQ2003D1013TRY_双极晶体管预偏置

TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO

双极晶体管预偏置

+1:

¥2.830163

+10:

¥2.130818

+30:

¥1.781145

+100:

¥1.431472

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: STMicroelectronics

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q100

零件状态: 在售

晶体管类型: 7 NPN 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1.6V 500µA,350mA

电流 - 集电极截止(最大值): -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 1000 350mA,2V

功率 - 最大值: -

频率 - 跃迁: -

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 16-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

供应商器件封装: 16-SO

温度: 150°C(TJ)

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ULQ2003D1013TRY_双极晶体管预偏置
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TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO

双极晶体管预偏置

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¥1.42296

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: STMicroelectronics

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q100

零件状态: 在售

晶体管类型: 7 NPN 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1.6V 500µA,350mA

电流 - 集电极截止(最大值): -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 1000 350mA,2V

功率 - 最大值: -

频率 - 跃迁: -

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 16-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

供应商器件封装: 16-SO

温度: 150°C(TJ)

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ULQ2003D1013TRY_未分类
ULQ2003D1013TRY

TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO

未分类

库存: 1000 +

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品牌: STMicroelectronics

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q100

零件状态: 在售

晶体管类型: 7 NPN 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1.6V 500µA,350mA

电流 - 集电极截止(最大值): -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 1000 350mA,2V

功率 - 最大值: -

频率 - 跃迁: -

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 16-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

供应商器件封装: 16-SO

温度: 150°C(TJ)

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ULQ2003D1013TRY

TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO

未分类

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¥1.90983

+50:

¥1.430476

+1250:

¥1.295987

+2500:

¥1.167294

+15000:

¥1.14748

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: STMicroelectronics

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q100

零件状态: 在售

晶体管类型: 7 NPN 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1.6V 500µA,350mA

电流 - 集电极截止(最大值): -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 1000 350mA,2V

功率 - 最大值: -

频率 - 跃迁: -

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 16-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

供应商器件封装: 16-SO

温度: 150°C(TJ)

ULQ2003D1013TRY_双极晶体管预偏置
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双极晶体管预偏置

+1:

¥1.971204

+100:

¥1.51128

+1250:

¥1.278944

+2500:

¥1.084926

+37500:

¥1.078791

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: STMicroelectronics

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q100

零件状态: 在售

晶体管类型: 7 NPN 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1.6V 500µA,350mA

电流 - 集电极截止(最大值): -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 1000 350mA,2V

功率 - 最大值: -

频率 - 跃迁: -

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 16-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

供应商器件封装: 16-SO

温度: 150°C(TJ)

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双极晶体管预偏置

+2500:

¥1.259049

+7500:

¥1.201785

+12500:

¥1.178987

+25000:

¥1.144629

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: STMicroelectronics

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q100

零件状态: 在售

晶体管类型: 7 NPN 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1.6V 500µA,350mA

电流 - 集电极截止(最大值): -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 1000 350mA,2V

功率 - 最大值: -

频率 - 跃迁: -

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 16-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

供应商器件封装: 16-SO

温度: 150°C(TJ)

自营 国内现货
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双极晶体管预偏置

+2500:

¥2.189032

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: STMicroelectronics

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q100

零件状态: 在售

晶体管类型: 7 NPN 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1.6V 500µA,350mA

电流 - 集电极截止(最大值): -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 1000 350mA,2V

功率 - 最大值: -

频率 - 跃迁: -

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 16-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

供应商器件封装: 16-SO

温度: 150°C(TJ)

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双极晶体管预偏置

+2500:

¥5.245903

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: STMicroelectronics

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q100

零件状态: 在售

晶体管类型: 7 NPN 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1.6V 500µA,350mA

电流 - 集电极截止(最大值): -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 1000 350mA,2V

功率 - 最大值: -

频率 - 跃迁: -

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 16-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

供应商器件封装: 16-SO

温度: 150°C(TJ)

ULQ2003D1013TRY_双极晶体管预偏置
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双极晶体管预偏置

+1:

¥12.850853

+10:

¥9.148584

+25:

¥8.236786

+100:

¥7.233194

+250:

¥6.753431

库存: 0

货期:7~10 天

系列: Automotive, AEC-Q100

安装类型: Surface Mount

工作温度: 150°C (TJ)

封装/外壳: 16-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装: 16-SO

ULQ2003D1013TRY参数规格

属性 参数值
品牌: STMicroelectronics
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: Automotive, AEC-Q100
零件状态: 在售
晶体管类型: 7 NPN 达林顿
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1.6V 500µA,350mA
电流 - 集电极截止(最大值): -
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 1000 350mA,2V
功率 - 最大值: -
频率 - 跃迁: -
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 16-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
供应商器件封装: 16-SO
温度: 150°C(TJ)