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搜索 ULQ2004D1013TR 共 11 条相关记录
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ULQ2004D1013TR_双极晶体管预偏置
ULQ2004D1013TR
ST(意法半导体)
授权代理品牌

TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO

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双极晶体管预偏置
+1：

￥15.797639

+10：

￥10.53184

+30：

￥8.776493

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： STMicroelectronics

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： 7 NPN 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.6V 500µA，350mA

电流 - 集电极截止（最大值）： -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 1000 350mA，2V

功率 - 最大值： -

频率 - 跃迁： -

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 16-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

供应商器件封装： 16-SO

温度： 150°C（TJ）

自营 现货库存
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ULQ2004D1013TR_双极晶体管预偏置
ULQ2004D1013TR
ST(意法半导体)
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TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO

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双极晶体管预偏置
+1：

￥7.168289

+10：

￥6.381526

+30：

￥5.944435

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： STMicroelectronics

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： 7 NPN 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.6V 500µA，350mA

电流 - 集电极截止（最大值）： -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 1000 350mA，2V

功率 - 最大值： -

频率 - 跃迁： -

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 16-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

供应商器件封装： 16-SO

温度： 150°C（TJ）

自营 国内现货
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ULQ2004D1013TR_双极晶体管预偏置
ULQ2004D1013TR
ST(意法半导体)
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TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO

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双极晶体管预偏置
+2500：

￥2.11103

+5000：

￥2.005437

+12500：

￥1.930064

+25000：

￥1.869743

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： STMicroelectronics

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： 7 NPN 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.6V 500µA，350mA

电流 - 集电极截止（最大值）： -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 1000 350mA，2V

功率 - 最大值： -

频率 - 跃迁： -

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 16-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

供应商器件封装： 16-SO

温度： 150°C（TJ）

Digi-Key
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ULQ2004D1013TR_双极晶体管预偏置
ULQ2004D1013TR
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TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO

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双极晶体管预偏置
+2500：

￥5.164137

+5000：

￥4.905831

+12500：

￥4.721447

+25000：

￥4.573886

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： STMicroelectronics

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： 7 NPN 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.6V 500µA，350mA

电流 - 集电极截止（最大值）： -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 1000 350mA，2V

功率 - 最大值： -

频率 - 跃迁： -

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 16-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

供应商器件封装： 16-SO

温度： 150°C（TJ）

ULQ2004D1013TR_双极晶体管预偏置
ULQ2004D1013TR
ST(意法半导体)
授权代理品牌

TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO

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双极晶体管预偏置
+1：

￥12.225837

+10：

￥10.875308

+25：

￥10.326568

+100：

￥8.484162

+250：

￥7.930304

库存： 0

货期：7~10 天

系列： -

安装类型： Surface Mount

工作温度： 150°C (TJ)

封装/外壳： 16-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装： 16-SO

ULQ2004D1013TR_双极晶体管预偏置
ULQ2004D1013TR
ST(意法半导体)
授权代理品牌

TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO

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双极晶体管预偏置
+1：

￥12.225837

+10：

￥10.875308

+25：

￥10.326568

+100：

￥8.484162

+250：

￥7.930304

库存： 0

货期：7~10 天

系列： -

安装类型： Surface Mount

工作温度： 150°C (TJ)

封装/外壳： 16-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装： 16-SO

Mouser
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ULQ2004D1013TR_晶体管
ULQ2004D1013TR
ST(意法半导体)
授权代理品牌

TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO

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晶体管
+1：

￥10.888207

+10：

￥9.425612

+100：

￥7.751754

+500：

￥7.117963

+1000：

￥5.882882

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： STMicroelectronics

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： 7 NPN 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.6V 500µA，350mA

电流 - 集电极截止（最大值）： -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 1000 350mA，2V

功率 - 最大值： -

频率 - 跃迁： -

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 16-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

供应商器件封装： 16-SO

温度： 150°C（TJ）

艾睿
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ULQ2004D1013TR_未分类
ULQ2004D1013TR
STMicroelectronics
授权代理品牌

Trans Darlington NPN 50V 0.5A 16-Pin SO N T/R

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未分类
+1：

￥7.128688

+10：

￥6.635127

+25：

￥6.568387

+100：

￥5.877715

+250：

￥5.818736

库存： 0

货期：7~10 天

 暂无参数
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ULQ2004D1013TR_未分类
ULQ2004D1013TR
ST(意法半导体)
授权代理品牌
+10：

￥4.72696

+25：

￥4.629206

+100：

￥4.175215

+250：

￥4.011665

+500：

￥3.590572

库存： 0

货期：7~10 天

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ULQ2004D1013TR_未分类
ULQ2004D1013TR
ST(意法半导体)
授权代理品牌

BIPOLAR ARRAY, AECQ101, 7N-CH, 50V, 0.5A

未分类
+1：

￥8.563257

+10：

￥7.732667

+25：

￥7.346623

+100：

￥6.036395

+250：

￥5.685438

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货期：7~10 天

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ULQ2004D1013TR参数规格

属性 参数值
品牌: STMicroelectronics
包装: 剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: 7 NPN 达林顿
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 500mA
电压 - 集射极击穿（最大值）: 50V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 1.6V 500µA，350mA
电流 - 集电极截止（最大值）: -
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 1000 350mA，2V
功率 - 最大值: -
频率 - 跃迁: -
工作温度: 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 16-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装: 16-SO
温度: 150°C（TJ）