UF3C065040B3厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

搜索 UF3C065040B3 共 7 条相关记录

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
UF3C065040B3 UnitedSiC(碳化硅（SiC）功率半导体制造商) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 41A TO263 下载数据手册未分类	+10：￥119.433165 +500：￥100.871403	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： UnitedSiC 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： - 漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 41A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 52 毫欧 30A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 6V 10mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 51 nC 15 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1500 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 176W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-263（D2Pak）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）
UF3C065040B3 United Chemi-Con(日本贵弥功) 授权代理品牌	UF3C065040B3 UNITED SILICON CARBIDE 下载数据手册未分类	+800：￥78.985326	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
UF3C065040B3 UnitedSiC(碳化硅（SiC）功率半导体制造商) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 41A TO263 下载数据手册未分类	+1：￥121.274916 +10：￥111.492009 +100：￥94.163223	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： UnitedSiC 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： - 漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 41A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 52 毫欧 30A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 6V 10mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 51 nC 15 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1500 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 176W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-263（D2Pak）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
UF3C065040B3 UnitedSiC(碳化硅（SiC）功率半导体制造商) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 41A TO263 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥108.877572 +1600：￥99.867014 +2400：￥93.859976 +5600：￥90.105578	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： UnitedSiC 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： - 漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 41A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 52 毫欧 30A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 6V 10mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 51 nC 15 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1500 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 176W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-263（D2Pak）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）
UF3C065040B3 UnitedSiC(碳化硅（SiC）功率半导体制造商) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 41A TO263 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥157.684759 +10：￥144.919803 +25：￥138.915598 +100：￥120.140769 +250：￥116.386371	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： TO-263 (D2Pak)
UF3C065040B3 UnitedSiC(碳化硅（SiC）功率半导体制造商) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 41A TO263 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： TO-263 (D2Pak)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	UF3C065040B3 UnitedSiC(碳化硅（SiC）功率半导体制造商) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 41A TO263 下载数据手册未分类	+1：￥203.180774 +25：￥179.334799 +100：￥155.488823 +250：￥131.47952 +500：￥124.619719	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： UnitedSiC 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： - 漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 41A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 52 毫欧 30A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 6V 10mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 51 nC 15 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1500 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 176W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-263（D2Pak）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

UF3C065040B3参数规格

属性	参数值
品牌:	UnitedSiC
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	-
漏源电压（Vdss）:	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	41A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	12V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	52 毫欧 30A，12V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	6V 10mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	51 nC 15 V
Vgs（最大值）:	±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1500 pF 100 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	176W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TO-263（D2Pak）
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
温度:	-55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
UF3C065040B3 UnitedSiC(碳化硅（SiC）功率半导体制造商) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 41A TO263 下载数据手册未分类	+10：￥119.433165 +500：￥100.871403	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： UnitedSiC 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： - 漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 41A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 52 毫欧 30A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 6V 10mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 51 nC 15 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1500 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 176W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-263（D2Pak）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）
UF3C065040B3 United Chemi-Con(日本贵弥功) 授权代理品牌	UF3C065040B3 UNITED SILICON CARBIDE 下载数据手册未分类	+800：￥78.985326	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
UF3C065040B3 UnitedSiC(碳化硅（SiC）功率半导体制造商) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 41A TO263 下载数据手册未分类	+1：￥121.274916 +10：￥111.492009 +100：￥94.163223	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： UnitedSiC 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： - 漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 41A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 52 毫欧 30A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 6V 10mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 51 nC 15 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1500 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 176W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-263（D2Pak）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）