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UMX4NTR_双极晶体管预偏置
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品牌: Rohm Semiconductor

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

晶体管类型: 2 NPN (Dual)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 50mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 20V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 500mV 4mA, 20mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA (ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 56 10mA, 10V

功率 - 最大值: 150mW

频率 - 跃迁: 1.5GHz

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

供应商器件封装: UMT6

温度: 150°C (TJ)

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UMX4NTR_双极晶体管预偏置
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品牌: Rohm Semiconductor

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

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零件状态: Active

晶体管类型: 2 NPN (Dual)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 50mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 20V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 500mV 4mA, 20mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA (ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 56 10mA, 10V

功率 - 最大值: 150mW

频率 - 跃迁: 1.5GHz

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

供应商器件封装: UMT6

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UMX4NTR_null
UMX4NTR
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TRANS 2NPN 20V 0.05A 6UMT

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晶体管类型: 2 NPN (Dual)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 50mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 20V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 500mV 4mA, 20mA

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不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 56 10mA, 10V

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安装类型: Surface Mount

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UMX4NTR_双极晶体管预偏置
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晶体管类型: 2 NPN (Dual)

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UMX4NTR_双极晶体管预偏置
UMX4NTR
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UMX4NTR_双极晶体管预偏置
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电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 50mA

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晶体管类型: 2 NPN (Dual)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 50mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 20V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 500mV 4mA, 20mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA (ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 56 10mA, 10V

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封装/外壳: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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UMX4NTR
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¥0.322283

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晶体管类型: 2 NPN (Dual)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 50mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 20V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 500mV 4mA, 20mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA (ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 56 10mA, 10V

功率 - 最大值: 150mW

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封装/外壳: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 50mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 20V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 500mV 4mA, 20mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA (ICBO)

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包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

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晶体管类型: 2 NPN (Dual)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 50mA

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不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 500mV 4mA, 20mA

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UMX4NTR参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: Active
晶体管类型: 2 NPN (Dual)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 50mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 20V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 500mV 4mA, 20mA
电流 - 集电极截止(最大值): 500nA (ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 56 10mA, 10V
功率 - 最大值: 150mW
频率 - 跃迁: 1.5GHz
工作温度: 150°C (TJ)
安装类型: Surface Mount
封装/外壳: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供应商器件封装: UMT6
温度: 150°C (TJ)