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自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
US6X8TR_未分类
US6X8TR
授权代理品牌

NPN+NPN DRIVER TRANSISTOR

未分类

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¥0.863691

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¥0.660335

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 NPN(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1A

电压 - 集射极击穿(最大值): 30V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 350mV 25mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 270 100mA,2V

功率 - 最大值: 400mW

频率 - 跃迁: 320MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-SMD,扁平引线

供应商器件封装: TUMT6

温度: 150°C(TJ)

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
US6X8TR_双极晶体管预偏置
授权代理品牌
+3000:

¥1.506364

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¥1.470101

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 NPN(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1A

电压 - 集射极击穿(最大值): 30V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 350mV 25mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 270 100mA,2V

功率 - 最大值: 400mW

频率 - 跃迁: 320MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-SMD,扁平引线

供应商器件封装: TUMT6

温度: 150°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
US6X8TR_双极晶体管预偏置
授权代理品牌
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¥2.602991

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¥2.540329

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 NPN(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1A

电压 - 集射极击穿(最大值): 30V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 350mV 25mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 270 100mA,2V

功率 - 最大值: 400mW

频率 - 跃迁: 320MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-SMD,扁平引线

供应商器件封装: TUMT6

温度: 150°C(TJ)

US6X8TR_双极晶体管预偏置
授权代理品牌
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¥6.774211

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¥5.927435

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¥4.542109

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¥3.590332

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¥2.872266

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: 150°C (TJ)

封装/外壳: 6-SMD, Flat Leads

供应商器件封装: TUMT6

US6X8TR_双极晶体管预偏置
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¥6.774211

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¥5.927435

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¥4.542109

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系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: 150°C (TJ)

封装/外壳: 6-SMD, Flat Leads

供应商器件封装: TUMT6

Mouser
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US6X8TR_未分类
US6X8TR
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NPN+NPN DRIVER TRANSISTOR

未分类

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¥7.940188

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¥6.947664

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¥5.333159

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¥4.2083

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¥3.37458

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 NPN(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1A

电压 - 集射极击穿(最大值): 30V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 350mV 25mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 270 100mA,2V

功率 - 最大值: 400mW

频率 - 跃迁: 320MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-SMD,扁平引线

供应商器件封装: TUMT6

温度: 150°C(TJ)

US6X8TR参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: 2 NPN(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1A
电压 - 集射极击穿(最大值): 30V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 350mV 25mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 270 100mA,2V
功率 - 最大值: 400mW
频率 - 跃迁: 320MHz
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-SMD,扁平引线
供应商器件封装: TUMT6
温度: 150°C(TJ)