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UMT18NTR_null
UMT18NTR
授权代理品牌

PNP+PNP LOW VCE(SAT) TRANSISTOR

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¥4.412059

+100:

¥2.501617

+1000:

¥1.530979

+3000:

¥1.15747

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

晶体管类型: 2 PNP (Dual)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 12V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 250mV 10mA, 200mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA (ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 270 10mA, 2V

功率 - 最大值: 150mW

频率 - 跃迁: 260MHz

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

供应商器件封装: UMT6

温度: 150°C (TJ)

自营 国内现货
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UMT18NTR_双极晶体管预偏置
授权代理品牌

PNP+PNP LOW VCE(SAT) TRANSISTOR

双极晶体管预偏置

+3000:

¥0.87581

+6000:

¥0.819263

+15000:

¥0.799562

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

晶体管类型: 2 PNP (Dual)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 12V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 250mV 10mA, 200mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA (ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 270 10mA, 2V

功率 - 最大值: 150mW

频率 - 跃迁: 260MHz

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

供应商器件封装: UMT6

温度: 150°C (TJ)

Digi-Key
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UMT18NTR_双极晶体管预偏置
授权代理品牌

PNP+PNP LOW VCE(SAT) TRANSISTOR

双极晶体管预偏置

+3000:

¥2.142465

+6000:

¥2.004132

+15000:

¥1.955942

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

晶体管类型: 2 PNP (Dual)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 12V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 250mV 10mA, 200mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA (ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 270 10mA, 2V

功率 - 最大值: 150mW

频率 - 跃迁: 260MHz

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

供应商器件封装: UMT6

温度: 150°C (TJ)

UMT18NTR_双极晶体管预偏置
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PNP+PNP LOW VCE(SAT) TRANSISTOR

双极晶体管预偏置

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¥5.952865

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¥5.031588

+100:

¥3.760227

+500:

¥2.954888

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¥2.283209

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: 150°C (TJ)

封装/外壳: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363

供应商器件封装: UMT6

UMT18NTR_双极晶体管预偏置
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PNP+PNP LOW VCE(SAT) TRANSISTOR

双极晶体管预偏置

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系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: 150°C (TJ)

封装/外壳: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363

供应商器件封装: UMT6

Mouser
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UMT18NTR_未分类
UMT18NTR
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PNP+PNP LOW VCE(SAT) TRANSISTOR

未分类

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¥6.804989

+10:

¥5.751837

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¥4.309828

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¥3.386294

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¥2.624782

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

晶体管类型: 2 PNP (Dual)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 12V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 250mV 10mA, 200mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA (ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 270 10mA, 2V

功率 - 最大值: 150mW

频率 - 跃迁: 260MHz

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

供应商器件封装: UMT6

温度: 150°C (TJ)

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UMT18NTR
授权代理品牌

雙極結晶體管 - BJT

未分类

库存: 0

货期:7~10 天

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UMT18NTR参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: Active
晶体管类型: 2 PNP (Dual)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 12V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 250mV 10mA, 200mA
电流 - 集电极截止(最大值): 100nA (ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 270 10mA, 2V
功率 - 最大值: 150mW
频率 - 跃迁: 260MHz
工作温度: 150°C (TJ)
安装类型: Surface Mount
封装/外壳: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供应商器件封装: UMT6
温度: 150°C (TJ)