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UMX1NTN_双极晶体管预偏置
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¥0.242341

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¥0.231118

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国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

晶体管类型: 2 NPN (Dual)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 150mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 5mA, 50mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA (ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 1mA, 6V

功率 - 最大值: 150mW

频率 - 跃迁: 180MHz

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

供应商器件封装: UMT6

温度: 150°C (TJ)

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UMX1NTN_双极晶体管预偏置
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三极管(晶体管) UMX1NTN SOT-363

双极晶体管预偏置

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品牌: Rohm Semiconductor

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

晶体管类型: 2 NPN (Dual)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 150mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 5mA, 50mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA (ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 1mA, 6V

功率 - 最大值: 150mW

频率 - 跃迁: 180MHz

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

供应商器件封装: UMT6

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UMX1NTN_双极晶体管预偏置
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品牌: Rohm Semiconductor

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零件状态: Active

晶体管类型: 2 NPN (Dual)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 150mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 5mA, 50mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA (ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 1mA, 6V

功率 - 最大值: 150mW

频率 - 跃迁: 180MHz

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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温度: 150°C (TJ)

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UMX1NTN_双极晶体管预偏置
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晶体管类型: 2 NPN (Dual)

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电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 5mA, 50mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA (ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 1mA, 6V

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频率 - 跃迁: 180MHz

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安装类型: Surface Mount

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UMX1NTN_双极晶体管预偏置
UMX1NTN
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晶体管类型: 2 NPN (Dual)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 150mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 5mA, 50mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA (ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 1mA, 6V

功率 - 最大值: 150mW

频率 - 跃迁: 180MHz

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安装类型: Surface Mount

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UMX1NTN
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零件状态: Active

晶体管类型: 2 NPN (Dual)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 150mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 5mA, 50mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA (ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 1mA, 6V

功率 - 最大值: 150mW

频率 - 跃迁: 180MHz

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封装/外壳: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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UMX1NTN
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晶体管类型: 2 NPN (Dual)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 150mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 5mA, 50mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA (ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 1mA, 6V

功率 - 最大值: 150mW

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电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 150mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 5mA, 50mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA (ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 1mA, 6V

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晶体管类型: 2 NPN (Dual)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 150mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 5mA, 50mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA (ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 1mA, 6V

功率 - 最大值: 150mW

频率 - 跃迁: 180MHz

工作温度: 150°C (TJ)

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温度: 150°C (TJ)

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UMX1NTN
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晶体管类型: 2 NPN (Dual)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 150mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 5mA, 50mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA (ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 1mA, 6V

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封装/外壳: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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UMX1NTN参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: Active
晶体管类型: 2 NPN (Dual)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 150mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 5mA, 50mA
电流 - 集电极截止(最大值): 100nA (ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 1mA, 6V
功率 - 最大值: 150mW
频率 - 跃迁: 180MHz
工作温度: 150°C (TJ)
安装类型: Surface Mount
封装/外壳: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供应商器件封装: UMT6
温度: 150°C (TJ)