品牌： STMicroelectronics

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： 8 NPN 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.6V 500µA，350mA

电流 - 集电极截止（最大值）： -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 1000 350mA，2V

功率 - 最大值： 2.25W

频率 - 跃迁： -

工作温度： -40°C # 105°C

安装类型： 通孔

封装/外壳： 18-DIP（0.300，7.62mm）

供应商器件封装： 18-DIP

温度： -40°C # 105°C

品牌： STMicroelectronics

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： 8 NPN 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.6V 500µA，350mA

电流 - 集电极截止（最大值）： -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 1000 350mA，2V

功率 - 最大值： 2.25W

频率 - 跃迁： -

工作温度： -40°C # 105°C

安装类型： 通孔

封装/外壳： 18-DIP（0.300，7.62mm）

供应商器件封装： 18-DIP

温度： -40°C # 105°C

品牌： STMicroelectronics

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： 8 NPN 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.6V 500µA，350mA

电流 - 集电极截止（最大值）： -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 1000 350mA，2V

功率 - 最大值： 2.25W

频率 - 跃迁： -

工作温度： -40°C # 105°C

安装类型： 通孔

封装/外壳： 18-DIP（0.300，7.62mm）

供应商器件封装： 18-DIP

温度： -40°C # 105°C