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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
UMT4403U3T106_双极性晶体管
UMT4403U3T106
授权代理品牌

PNP MEDIUM POWER TRANSISTOR FOR

双极性晶体管

+1:

¥2.766457

+200:

¥1.103873

+500:

¥1.066939

+1000:

¥1.0488

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 600 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 40 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 750mV 50mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 150mA,1V

功率 - 最大值: 200 mW

频率 - 跃迁: 200MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-70,SOT-323

供应商器件封装: UMT3

温度: 150°C(TJ)

Digi-Key
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UMT4403U3T106_双极性晶体管
授权代理品牌

PNP MEDIUM POWER TRANSISTOR FOR

双极性晶体管

+3000:

¥2.15205

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 600 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 40 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 750mV 50mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 150mA,1V

功率 - 最大值: 200 mW

频率 - 跃迁: 200MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-70,SOT-323

供应商器件封装: UMT3

温度: 150°C(TJ)

UMT4403U3T106_双极性晶体管
授权代理品牌

PNP MEDIUM POWER TRANSISTOR FOR

双极性晶体管

+1:

¥6.092044

+10:

¥5.213656

+25:

¥4.862301

+100:

¥3.60989

+250:

¥3.429678

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SC-70, SOT-323

供应商器件封装: UMT3

UMT4403U3T106_双极性晶体管
授权代理品牌

PNP MEDIUM POWER TRANSISTOR FOR

双极性晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SC-70, SOT-323

供应商器件封装: UMT3

Mouser
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UMT4403U3T106_未分类
UMT4403U3T106
授权代理品牌

PNP MEDIUM POWER TRANSISTOR FOR

未分类

+1:

¥6.248228

+10:

¥5.467198

+100:

¥3.195117

+1000:

¥2.797502

+3000:

¥2.371487

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 600 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 40 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 750mV 50mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 150mA,1V

功率 - 最大值: 200 mW

频率 - 跃迁: 200MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-70,SOT-323

供应商器件封装: UMT3

温度: 150°C(TJ)

UMT4403U3T106参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 600 mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 40 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 750mV 50mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 150mA,1V
功率 - 最大值: 200 mW
频率 - 跃迁: 200MHz
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-70,SOT-323
供应商器件封装: UMT3
温度: 150°C(TJ)