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Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
UT6JA3TCR_射频晶体管
授权代理品牌

UT6JA3 IS A POWER MOSFET WITH LO

射频晶体管

+3000:

¥4.667987

+6000:

¥4.389957

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: 2 个 P 沟道(双)

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5A(Ta)

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 59 毫欧 5A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 6.5nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 460pF 10V

功率 - 最大值: 2W(Ta)

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-PowerUDFN

供应商器件封装: HUML2020L8

温度: 150°C(TJ)

UT6JA3TCR_射频晶体管
授权代理品牌

UT6JA3 IS A POWER MOSFET WITH LO

射频晶体管

+1:

¥12.124643

+10:

¥10.619515

+100:

¥8.144416

+500:

¥6.438603

+1000:

¥5.150883

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-PowerUDFN

供应商器件封装: HUML2020L8

UT6JA3TCR_射频晶体管
授权代理品牌

UT6JA3 IS A POWER MOSFET WITH LO

射频晶体管

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¥6.438603

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¥5.150883

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-PowerUDFN

供应商器件封装: HUML2020L8

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
UT6JA3TCR_未分类
UT6JA3TCR
授权代理品牌

UT6JA3 IS A POWER MOSFET WITH LO

未分类

+1:

¥12.212445

+10:

¥10.834994

+100:

¥8.307303

+500:

¥6.560639

+1000:

¥5.254191

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: 2 个 P 沟道(双)

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5A(Ta)

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 59 毫欧 5A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 6.5nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 460pF 10V

功率 - 最大值: 2W(Ta)

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-PowerUDFN

供应商器件封装: HUML2020L8

温度: 150°C(TJ)

UT6JA3TCR参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: 2 个 P 沟道(双)
FET 功能: 标准
漏源电压(Vdss): 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5A(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 59 毫欧 5A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 6.5nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 460pF 10V
功率 - 最大值: 2W(Ta)
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-PowerUDFN
供应商器件封装: HUML2020L8
温度: 150°C(TJ)