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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
US6K2TR_射频晶体管
US6K2TR
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MOSFET 2N-CH 30V 1.4A TUMT6

射频晶体管

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¥2.13202

+50:

¥1.776764

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¥1.421387

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¥1.184469

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.4A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 240 毫欧 1.4A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 2nC 5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 70pF 10V

功率 - 最大值: 1W

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-SMD,扁平引线

供应商器件封装: TUMT6

温度: 150°C(TJ)

自营 现货库存
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US6K2TR_射频晶体管
US6K2TR
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MOSFET 2N-CH 30V 1.4A TUMT6

射频晶体管

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¥1.047598

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¥0.922262

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¥0.868499

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¥0.801515

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.4A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 240 毫欧 1.4A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 2nC 5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 70pF 10V

功率 - 最大值: 1W

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-SMD,扁平引线

供应商器件封装: TUMT6

温度: 150°C(TJ)

US6K2TR_射频晶体管
US6K2TR
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MOSFET 2N-CH 30V 1.4A TUMT6

射频晶体管

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¥1.578335

+200:

¥0.610834

+500:

¥0.589307

+1000:

¥0.578709

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.4A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 240 毫欧 1.4A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 2nC 5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 70pF 10V

功率 - 最大值: 1W

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-SMD,扁平引线

供应商器件封装: TUMT6

温度: 150°C(TJ)

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US6K2TR_null
US6K2TR
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MOSFET 2N-CH 30V 1.4A TUMT6

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¥5.123002

+1500:

¥3.247949

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¥2.419718

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.4A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 240 毫欧 1.4A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 2nC 5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 70pF 10V

功率 - 最大值: 1W

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-SMD,扁平引线

供应商器件封装: TUMT6

温度: 150°C(TJ)

自营 国内现货
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US6K2TR_射频晶体管
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MOSFET 2N-CH 30V 1.4A TUMT6

射频晶体管

+3000:

¥1.374692

+6000:

¥1.302335

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¥1.205837

+30000:

¥1.193912

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.4A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 240 毫欧 1.4A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 2nC 5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 70pF 10V

功率 - 最大值: 1W

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-SMD,扁平引线

供应商器件封装: TUMT6

温度: 150°C(TJ)

Digi-Key
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MOSFET 2N-CH 30V 1.4A TUMT6

射频晶体管

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¥3.362862

+6000:

¥3.185854

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¥2.949796

+30000:

¥2.920626

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.4A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 240 毫欧 1.4A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 2nC 5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 70pF 10V

功率 - 最大值: 1W

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-SMD,扁平引线

供应商器件封装: TUMT6

温度: 150°C(TJ)

US6K2TR_射频晶体管
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MOSFET 2N-CH 30V 1.4A TUMT6

射频晶体管

+1:

¥8.779577

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¥7.675051

+100:

¥5.310228

+500:

¥4.43652

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¥3.775786

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: 150°C (TJ)

封装/外壳: 6-SMD, Flat Leads

供应商器件封装: TUMT6

US6K2TR_射频晶体管
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MOSFET 2N-CH 30V 1.4A TUMT6

射频晶体管

+1:

¥8.779577

+10:

¥7.675051

+100:

¥5.310228

+500:

¥4.43652

+1000:

¥3.775786

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: 150°C (TJ)

封装/外壳: 6-SMD, Flat Leads

供应商器件封装: TUMT6

Mouser
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US6K2TR_未分类
US6K2TR
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MOSFET 2N-CH 30V 1.4A TUMT6

未分类

+1:

¥10.036331

+10:

¥8.773697

+100:

¥6.070362

+500:

¥5.082917

+1000:

¥4.322098

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.4A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 240 毫欧 1.4A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 2nC 5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 70pF 10V

功率 - 最大值: 1W

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-SMD,扁平引线

供应商器件封装: TUMT6

温度: 150°C(TJ)

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US6K2TR_未分类
US6K2TR
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Trans MOSFET N-CH Si 30V 1.4A 6-Pin TUMT T/R

未分类

+184:

¥1.543819

+200:

¥1.532244

+500:

¥1.373766

+1000:

¥1.316787

+3000:

¥1.271379

库存: 0

货期:7~10 天

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US6K2TR参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.4A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 240 毫欧 1.4A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 2nC 5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 70pF 10V
功率 - 最大值: 1W
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-SMD,扁平引线
供应商器件封装: TUMT6
温度: 150°C(TJ)