锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

搜索 US6J12TCR9 条相关记录
自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
US6J12TCR_射频晶体管
US6J12TCR
授权代理品牌

1.5V DRIVE PCH+PCH MOSFET. US6J1

射频晶体管

+1:

¥3.704345

+200:

¥1.486109

+500:

¥1.431472

+1000:

¥1.409618

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: 2 个 P 沟道(双)

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 12V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2A(Ta)

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 105 毫欧 2A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 7.6nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 850pF 6V

功率 - 最大值: 910mW(Ta)

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-SMD,扁平引线

供应商器件封装: TUMT6

温度: 150°C(TJ)

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
US6J12TCR_射频晶体管
授权代理品牌

1.5V DRIVE PCH+PCH MOSFET. US6J1

射频晶体管

+3000:

¥1.302916

+6000:

¥1.234347

+9000:

¥1.142942

+30000:

¥1.131611

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: 2 个 P 沟道(双)

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 12V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2A(Ta)

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 105 毫欧 2A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 7.6nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 850pF 6V

功率 - 最大值: 910mW(Ta)

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-SMD,扁平引线

供应商器件封装: TUMT6

温度: 150°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
US6J12TCR_射频晶体管
授权代理品牌

1.5V DRIVE PCH+PCH MOSFET. US6J1

射频晶体管

+3000:

¥3.187277

+6000:

¥3.019539

+9000:

¥2.795938

+30000:

¥2.76822

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: 2 个 P 沟道(双)

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 12V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2A(Ta)

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 105 毫欧 2A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 7.6nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 850pF 6V

功率 - 最大值: 910mW(Ta)

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-SMD,扁平引线

供应商器件封装: TUMT6

温度: 150°C(TJ)

US6J12TCR_射频晶体管
授权代理品牌

1.5V DRIVE PCH+PCH MOSFET. US6J1

射频晶体管

+1:

¥8.429677

+10:

¥7.272383

+100:

¥5.032088

+500:

¥4.205124

+1000:

¥3.578756

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: 150°C (TJ)

封装/外壳: 6-SMD, Flat Leads

供应商器件封装: TUMT6

US6J12TCR_射频晶体管
授权代理品牌

1.5V DRIVE PCH+PCH MOSFET. US6J1

射频晶体管

+1:

¥8.429677

+10:

¥7.272383

+100:

¥5.032088

+500:

¥4.205124

+1000:

¥3.578756

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: 150°C (TJ)

封装/外壳: 6-SMD, Flat Leads

供应商器件封装: TUMT6

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
US6J12TCR_晶体管
US6J12TCR
授权代理品牌

1.5V DRIVE PCH+PCH MOSFET. US6J1

晶体管

+1:

¥9.963045

+10:

¥8.493087

+100:

¥5.879829

+500:

¥4.916191

+1000:

¥4.181212

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: 2 个 P 沟道(双)

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 12V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2A(Ta)

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 105 毫欧 2A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 7.6nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 850pF 6V

功率 - 最大值: 910mW(Ta)

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-SMD,扁平引线

供应商器件封装: TUMT6

温度: 150°C(TJ)

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
US6J12TCR_未分类
US6J12TCR
授权代理品牌

Trans MOSFET P-CH 12V 2A 6-Pin TUMT T/R

未分类

+317:

¥2.377337

+500:

¥2.290958

+1000:

¥2.216095

+2500:

¥2.150833

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数
US6J12TCR_未分类
US6J12TCR
授权代理品牌

Trans MOSFET P-CH 12V 2A 6-Pin TUMT T/R

未分类

+317:

¥2.377337

+500:

¥2.290958

+1000:

¥2.216095

+2500:

¥2.150833

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
US6J12TCR_未分类
US6J12TCR
授权代理品牌
+5:

¥2.719073

+50:

¥1.99847

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

US6J12TCR参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: 2 个 P 沟道(双)
FET 功能: 标准
漏源电压(Vdss): 12V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2A(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 105 毫欧 2A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 7.6nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 850pF 6V
功率 - 最大值: 910mW(Ta)
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-SMD,扁平引线
供应商器件封装: TUMT6
温度: 150°C(TJ)