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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	UT6MA2TCR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	UT6MA2 IS SMALL SURFACE MOUNT PA 下载数据手册射频晶体管	+1：￥6.517786 +10：￥5.540106 +30：￥4.562426 +100：￥4.073586 +500：￥3.747733	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 46mOhm 4A，10V，70mOhm 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.3nC 10V，6.7nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 180pF 15V，305pF 15V 功率 - 最大值： 2W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-PowerUDFN 供应商器件封装： HUML2020L8 温度： 150°C（TJ）

自营现货库存

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	UT6MA2TCR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	UT6MA2 IS SMALL SURFACE MOUNT PA 下载数据手册射频晶体管	+1：￥3.813617 +10：￥3.157981 +30：￥2.830163 +100：￥2.502345 +500：￥2.305654	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 46mOhm 4A，10V，70mOhm 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.3nC 10V，6.7nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 180pF 15V，305pF 15V 功率 - 最大值： 2W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-PowerUDFN 供应商器件封装： HUML2020L8 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	UT6MA2TCR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	UT6MA2 IS SMALL SURFACE MOUNT PA 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥3.022397 +6000：￥2.868805 +9000：￥2.663921 +30000：￥2.602342	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 46mOhm 4A，10V，70mOhm 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.3nC 10V，6.7nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 180pF 15V，305pF 15V 功率 - 最大值： 2W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-PowerUDFN 供应商器件封装： HUML2020L8 温度： 150°C（TJ）
	UT6MA2TCR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	UT6MA2 IS SMALL SURFACE MOUNT PA 下载数据手册射频晶体管	+1：￥9.001181 +10：￥7.658149 +100：￥5.327841 +500：￥4.15969 +1000：￥3.381015	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-PowerUDFN 供应商器件封装： HUML2020L8
	UT6MA2TCR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	UT6MA2 IS SMALL SURFACE MOUNT PA 下载数据手册射频晶体管	+1：￥9.001181 +10：￥7.658149 +100：￥5.327841 +500：￥4.15969 +1000：￥3.381015	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-PowerUDFN 供应商器件封装： HUML2020L8

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	UT6MA2TCR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	UT6MA2 IS SMALL SURFACE MOUNT PA 下载数据手册未分类	+1：￥9.11708 +10：￥7.840689 +100：￥5.862985 +500：￥4.614645 +1000：￥3.562675	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 46mOhm 4A，10V，70mOhm 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.3nC 10V，6.7nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 180pF 15V，305pF 15V 功率 - 最大值： 2W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-PowerUDFN 供应商器件封装： HUML2020L8 温度： 150°C（TJ）

UT6MA2TCR参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 和 P 沟道
FET 功能:	标准
漏源电压（Vdss）:	30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	4A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	46mOhm 4A，10V，70mOhm 4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	4.3nC 10V，6.7nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	180pF 15V，305pF 15V
功率 - 最大值:	2W（Ta）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	6-PowerUDFN
供应商器件封装:	HUML2020L8
温度:	150°C（TJ）