品牌： Vishay Siliconix

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

FET 类型： 2 N-通道（双）

电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： 25 V

漏源电压（Vdss）： -

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： 24 mA 10 V

漏极电流 (Id) - 最大值： -

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： 2 V 1 nA

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5pF 10V

电阻 - RDS(On)： -

功率 - 最大值： 500 mW

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-78-6 金属罐

供应商器件封装： TO-78-6

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Vishay Siliconix

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

FET 类型： 2 N-通道（双）

电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： 25 V

漏源电压（Vdss）： -

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： 24 mA 10 V

漏极电流 (Id) - 最大值： -

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： 2 V 1 nA

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5pF 10V

电阻 - RDS(On)： -

功率 - 最大值： 500 mW

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-78-6 金属罐

供应商器件封装： TO-78-6

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： InterFET

包装： Bulk

封装/外壳： TO-78-8

系列： U431

产品种类： JFET

技术： Si

安装风格： Through Hole

晶体管极性： N-Channel

配置： Dual

Vds-漏源极击穿电压： 10 V

Vgs-栅源极击穿电压 ： - 25 V

闸/源截止电压： - 6 V

Vgs=0时的漏-源电流： 60 mA

Id-连续漏极电流： 1 nA

Pd-功率耗散： 500 mW (1/2 W)

商标： InterFET

正向跨导 - 最小值： 10 mS

产品类型： JFETs

类型： JFET

单位重量： 2.176 g

温度： ~