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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
UPA2660T1R-E2-AX_射频晶体管

MOSFET 2N-CH 20V 4A 6SON

射频晶体管

+9000:

¥0.977316

+15000:

¥0.904922

+30000:

¥0.890444

+75000:

¥0.868725

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Renesas Electronics America Inc

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平栅极,2.5V 驱动

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 62 毫欧 2A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 4.5nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 330pF 10V

功率 - 最大值: 2.3W

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-WFDFN 裸露焊盘

供应商器件封装: 6-HUSON(2x2)

温度: 150°C(TJ)

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UPA2660T1R-E2-AX_射频晶体管

MOSFET 2N-CH 20V 4A 6SON

射频晶体管

+9000:

¥2.390773

+15000:

¥2.213678

+30000:

¥2.17826

+75000:

¥2.125132

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Renesas Electronics America Inc

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平栅极,2.5V 驱动

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 62 毫欧 2A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 4.5nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 330pF 10V

功率 - 最大值: 2.3W

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-WFDFN 裸露焊盘

供应商器件封装: 6-HUSON(2x2)

温度: 150°C(TJ)

UPA2660T1R-E2-AX参数规格

属性 参数值
品牌: Renesas Electronics America Inc
包装: 卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 逻辑电平栅极,2.5V 驱动
漏源电压(Vdss): 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 62 毫欧 2A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): -
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 4.5nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 330pF 10V
功率 - 最大值: 2.3W
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-WFDFN 裸露焊盘
供应商器件封装: 6-HUSON(2x2)
温度: 150°C(TJ)