品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 4.3 V

容差： ±3%

功率 - 最大值： 200 mW

阻抗（最大值）(Zzt)： 100 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 1 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： -

工作温度： -55°C # 150°C

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SC-90，SOD-323F

供应商器件封装： UMD2

温度： -55°C # 150°C

封装/外壳： SOD-323

反向漏电流Ir： 3uA @ 1V

功率： 200mW

齐纳电压Vz： 4.3V

齐纳阻抗Zzt： 90 Ohms

工作温度： -65℃~150℃

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 4.3 V

容差： ±3%

功率 - 最大值： 200 mW

阻抗（最大值）(Zzt)： 100 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 1 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： -

工作温度： -55°C # 150°C

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SC-90，SOD-323F

供应商器件封装： UMD2

温度： -55°C # 150°C

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 4.3 V

容差： ±3%

功率 - 最大值： 200 mW

阻抗（最大值）(Zzt)： 100 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 1 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： -

工作温度： -55°C # 150°C

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SC-90，SOD-323F

供应商器件封装： UMD2

温度： -55°C # 150°C

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 4.3 V

容差： ±3%

功率 - 最大值： 200 mW

阻抗（最大值）(Zzt)： 100 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 1 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： -

工作温度： -55°C # 150°C

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SC-90，SOD-323F

供应商器件封装： UMD2

温度： -55°C # 150°C