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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
UPA1764G-E2-AZ_射频晶体管

MOSFET 2N-CH 60V 7A 8-SOIC

射频晶体管

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Renesas Electronics America Inc

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 35 毫欧 3.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 29nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1300pF 10V

功率 - 最大值: 2W

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-SOIC(0.173,4.40mm 宽)

供应商器件封装: 8-SOP

温度: 150°C(TJ)

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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
UPA1764G-E2-AZ_射频晶体管

MOSFET 2N-CH 60V 7A 8-SOIC

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Renesas Electronics America Inc

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 35 毫欧 3.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 29nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1300pF 10V

功率 - 最大值: 2W

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-SOIC(0.173,4.40mm 宽)

供应商器件封装: 8-SOP

温度: 150°C(TJ)

UPA1764G-E2-AZ参数规格

属性 参数值
品牌: Renesas Electronics America Inc
包装: 卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 停产
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 标准
漏源电压(Vdss): 60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 35 毫欧 3.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): -
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 29nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1300pF 10V
功率 - 最大值: 2W
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SOIC(0.173,4.40mm 宽)
供应商器件封装: 8-SOP
温度: 150°C(TJ)