品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 5.6 V

容差： ±2%

功率 - 最大值： 200 mW

阻抗（最大值）(Zzt)： 60 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 1 µA 2.5 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： -

工作温度： -55°C # 150°C

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SC-90，SOD-323F

供应商器件封装： UMD2

温度： -55°C # 150°C

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 5.6 V

容差： ±2%

功率 - 最大值： 200 mW

阻抗（最大值）(Zzt)： 60 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 1 µA 2.5 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： -

工作温度： -55°C # 150°C

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SC-90，SOD-323F

供应商器件封装： UMD2

温度： -55°C # 150°C

二极管配置： 独立式

稳压值(标称值)： 5.6V

稳压值(范围)： 5.2V~6V

精度： ±5%

功率： 200mW

阻抗(Zzt)： 40Ω

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 5.6 V

容差： ±2%

功率 - 最大值： 200 mW

阻抗（最大值）(Zzt)： 60 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 1 µA 2.5 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： -

工作温度： -55°C # 150°C

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SC-90，SOD-323F

供应商器件封装： UMD2

温度： -55°C # 150°C

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 5.6 V

容差： ±2%

功率 - 最大值： 200 mW

阻抗（最大值）(Zzt)： 60 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 1 µA 2.5 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： -

工作温度： -55°C # 150°C

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SC-90，SOD-323F

供应商器件封装： UMD2

温度： -55°C # 150°C

封装/外壳： SOD-323

反向漏电流Ir： 1uA @ 2V

功率： 200mW

齐纳电压Vz： 5.6V

齐纳阻抗Zzt： 40 Ohms

工作温度： -65℃~150℃

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 5.6 V

容差： ±2%

功率 - 最大值： 200 mW

阻抗（最大值）(Zzt)： 60 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 1 µA 2.5 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： -

工作温度： -55°C # 150°C

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SC-90，SOD-323F

供应商器件封装： UMD2

温度： -55°C # 150°C

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 5.6 V

容差： ±2%

功率 - 最大值： 200 mW

阻抗（最大值）(Zzt)： 60 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 1 µA 2.5 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： -

工作温度： -55°C # 150°C

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SC-90，SOD-323F

供应商器件封装： UMD2

温度： -55°C # 150°C