品牌： Renesas Electronics America Inc

包装： Bulk

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Obsolete

FET 类型： N and P-Channel

FET 功能： Logic Level Gate

漏源电压（Vdss）： 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12.5mOhm 5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 42nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2200pF 10V

功率 - 最大值： 2W

工作温度： 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： 8-PowerSOIC (0.173#, 4.40mm Width)

供应商器件封装： 8-SOP

温度： 150°C (TJ)