耐压： 30V

电流： 40A

漏源电压(Vdss)： 30V

连续漏极电流(Id)： 40A

功率(Pd)： 1.5W

类型： P沟道

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 3.7mΩ@20A,10V

品牌： Renesas Electronics America Inc

包装： Bulk

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Obsolete

FET 类型： P-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 40A (Ta)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.7mOhm 20A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 133 nC 10 V

Vgs（最大值）： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3280 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 1.5W (Ta)

工作温度： 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

供应商器件封装： 8-DFN3333 (3.3x3.3)

封装/外壳： 8-VDFN Exposed Pad

温度： 150°C (TJ)

品牌： Renesas Electronics America Inc

包装： Bulk

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Obsolete

FET 类型： P-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 40A (Ta)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.7mOhm 20A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 133 nC 10 V

Vgs（最大值）： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3280 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 1.5W (Ta)

工作温度： 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

供应商器件封装： 8-DFN3333 (3.3x3.3)

封装/外壳： 8-VDFN Exposed Pad

温度： 150°C (TJ)