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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	UM6J1NTN Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 0.2A UMT6 下载数据手册射频晶体管	+1：￥1.020443 +10：￥0.828049 +30：￥0.745623 +100：￥0.642778 +500：￥0.596965	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 欧姆 200mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 30pF 10V 功率 - 最大值： 150mW 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： UMT6 温度： 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	UM6J1NTN Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 0.2A UMT6 下载数据手册射频晶体管	+1：￥1.30438	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 欧姆 200mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 30pF 10V 功率 - 最大值： 150mW 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： UMT6 温度： 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	UM6J1NTN Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 0.2A UMT6 下载数据手册未分类	+100：￥2.452424 +500：￥1.63495 +1000：￥1.577191 +2000：￥1.449236 +4000：￥1.417723	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 欧姆 200mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 30pF 10V 功率 - 最大值： 150mW 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： UMT6 温度： 150°C（TJ）
	UM6J1NTN Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 0.2A UMT6 下载数据手册未分类	+3000：￥1.605906 +6000：￥1.591158 +9000：￥1.576411 +12000：￥1.561664 +15000：￥1.546917	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 欧姆 200mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 30pF 10V 功率 - 最大值： 150mW 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： UMT6 温度： 150°C（TJ）
	UM6J1NTN VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	UM6J1NTN VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥0.836131 +1000：￥0.793233 +15000：￥0.771732 +21000：￥0.750336 +30000：￥0.721772	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	UM6J1NTN Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 0.2A UMT6 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥1.235209 +6000：￥1.155586	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 欧姆 200mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 30pF 10V 功率 - 最大值： 150mW 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： UMT6 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	UM6J1NTN Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 0.2A UMT6 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥2.134436 +6000：￥1.996849	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 欧姆 200mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 30pF 10V 功率 - 最大值： 150mW 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： UMT6 温度： 150°C（TJ）
	UM6J1NTN Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 0.2A UMT6 下载数据手册射频晶体管	+1：￥6.077206 +10：￥5.165624 +100：￥3.855379 +500：￥3.029609 +1000：￥2.341062	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： 150°C (TJ) 封装/外壳： 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供应商器件封装： UMT6
	UM6J1NTN Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 0.2A UMT6 下载数据手册射频晶体管	+1：￥6.077206 +10：￥5.165624 +100：￥3.855379 +500：￥3.029609 +1000：￥2.341062	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： 150°C (TJ) 封装/外壳： 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供应商器件封装： UMT6

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	UM6J1NTN Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 0.2A UMT6 下载数据手册未分类	+1：￥6.749497 +10：￥5.854156 +100：￥4.380286 +500：￥3.443621 +1000：￥2.658475	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 欧姆 200mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 30pF 10V 功率 - 最大值： 150mW 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： UMT6 温度： 150°C（TJ）

UM6J1NTN参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	2 个 P 沟道（双）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	200mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.4 欧姆 200mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	30pF 10V
功率 - 最大值:	150mW
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装:	UMT6
温度:	150°C（TJ）