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Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
UJ3N065025K3S_晶体管-JFET

650V 25 MOHM SIC JFET, G3, N-ON,

晶体管-JFET

+1:

¥232.867818

+10:

¥205.169064

+100:

¥177.443047

+500:

¥160.807435

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: UnitedSiC

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

电压 - 击穿 (V(BR)GSS): 650 V

漏源电压(Vdss): 650 V

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss): -

漏极电流 (Id) - 最大值: 85 A

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off): -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2360pF 100V

电阻 - RDS(On): 33 mOhms

功率 - 最大值: 441 W

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-247-3

供应商器件封装: TO-247-3

温度: -55°C # 175°C(TJ)

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
UJ3N065025K3S_晶体管
UJ3N065025K3S

650V 25 MOHM SIC JFET, G3, N-ON,

晶体管

+1:

¥285.823205

+25:

¥252.28999

+100:

¥218.5986

+250:

¥185.065384

+600:

¥175.258502

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: UnitedSiC

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

电压 - 击穿 (V(BR)GSS): 650 V

漏源电压(Vdss): 650 V

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss): -

漏极电流 (Id) - 最大值: 85 A

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off): -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2360pF 100V

电阻 - RDS(On): 33 mOhms

功率 - 最大值: 441 W

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-247-3

供应商器件封装: TO-247-3

温度: -55°C # 175°C(TJ)

UJ3N065025K3S参数规格

属性 参数值
品牌: UnitedSiC
包装: 管件
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
电压 - 击穿 (V(BR)GSS): 650 V
漏源电压(Vdss): 650 V
不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss): -
漏极电流 (Id) - 最大值: 85 A
不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off): -
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2360pF 100V
电阻 - RDS(On): 33 mOhms
功率 - 最大值: 441 W
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商器件封装: TO-247-3
温度: -55°C # 175°C(TJ)