品牌： UnitedSiC

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： 650 V

漏源电压（Vdss）： 650 V

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： -

漏极电流 (Id) - 最大值： 32 A

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 630pF 100V

电阻 - RDS(On)： 95 mOhms

功率 - 最大值： 190 W

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-247-3

供应商器件封装： TO-247-3

温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌： UnitedSiC

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： 650 V

漏源电压（Vdss）： 650 V

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： -

漏极电流 (Id) - 最大值： 32 A

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 630pF 100V

电阻 - RDS(On)： 95 mOhms

功率 - 最大值： 190 W

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-247-3

供应商器件封装： TO-247-3

温度： -55°C # 175°C（TJ）