品牌： MACOM Technology Solutions

包装： Tray

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

晶体管类型： N-Channel

频率： 100MHz # 500MHz

增益： 10dB

电压 - 测试： 28 V

额定电流（安培）： 1mA

噪声系数： -

电流 - 测试： 500 mA

功率 - 输出： 40W

电压 - 额定： 65 V

封装/外壳： -

供应商器件封装： -

温度：

品牌： MACOM Technology Solutions

包装： Tray

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

晶体管类型： N-Channel

频率： 100MHz # 500MHz

增益： 10dB

电压 - 测试： 28 V

额定电流（安培）： 1mA

噪声系数： -

电流 - 测试： 500 mA

功率 - 输出： 40W

电压 - 额定： 65 V

封装/外壳： -

供应商器件封装： -

温度：

品牌： MACOM

包装： Tray

封装/外壳： 319-07

系列：

产品种类： 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

晶体管极性： N-Channel

技术： Si

Vds-漏源极击穿电压： 65 V

工作频率： 100 MHz to 500 MHz

增益： 10 dB

输出功率： 40 W

安装风格： SMD/SMT

商标： MACOM

配置： Single

Pd-功率耗散： 116 W

产品类型： RF MOSFET Transistors

类型： RF Power MOSFET

Vgs - 栅极-源极电压： 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 6 V

单位重量： 32.445 g

温度： - 55 C~+ 150 C