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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	UM6K1NTN Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V .1A SOT-363 下载数据手册射频晶体管	+1：￥0.497151 +30：￥0.479401 +100：￥0.461639 +500：￥0.426128 +1000：￥0.408378	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： 2 N-Channel (Dual) FET 功能： Logic Level Gate 漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8Ohm 10mA, 4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13pF 5V 功率 - 最大值： 150mW 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供应商器件封装： UMT6 温度： 150°C (TJ)

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	UM6K1NTN Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V .1A SOT-363 下载数据手册射频晶体管	+300：￥0.895037 +500：￥0.669372 +1000：￥0.518969 +3000：￥0.376068 +6000：￥0.357313	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： 2 N-Channel (Dual) FET 功能： Logic Level Gate 漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8Ohm 10mA, 4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13pF 5V 功率 - 最大值： 150mW 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供应商器件封装： UMT6 温度： 150°C (TJ)

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	UM6K1NTN Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V .1A SOT-363 下载数据手册射频晶体管	+1：￥0.428703	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： 2 N-Channel (Dual) FET 功能： Logic Level Gate 漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8Ohm 10mA, 4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13pF 5V 功率 - 最大值： 150mW 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供应商器件封装： UMT6 温度： 150°C (TJ)

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	UM6K1NTN Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V .1A SOT-363 下载数据手册射频晶体管	+10：￥0.554503 +100：￥0.475321 +300：￥0.415819 +1000：￥0.350181 +5000：￥0.332702	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： 2 N-Channel (Dual) FET 功能： Logic Level Gate 漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8Ohm 10mA, 4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13pF 5V 功率 - 最大值： 150mW 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供应商器件封装： UMT6 温度： 150°C (TJ)
	UM6K1NTN Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V .1A SOT-363 下载数据手册射频晶体管	+1：￥0.862894 +200：￥0.556239 +1500：￥0.483077 +3000：￥0.427858 +45000：￥0.422534	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： 2 N-Channel (Dual) FET 功能： Logic Level Gate 漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8Ohm 10mA, 4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13pF 5V 功率 - 最大值： 150mW 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供应商器件封装： UMT6 温度： 150°C (TJ)
	UM6K1NTN 授权代理品牌	UM6K1NTN VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+50：￥0.329229 +100：￥0.315569 +300：￥0.301793 +3000：￥0.296352	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	UM6K1NTN Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V .1A SOT-363 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥0.449622 +9000：￥0.442097 +15000：￥0.434573 +30000：￥0.42728	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： 2 N-Channel (Dual) FET 功能： Logic Level Gate 漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8Ohm 10mA, 4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13pF 5V 功率 - 最大值： 150mW 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供应商器件封装： UMT6 温度： 150°C (TJ)
	UM6K1NTN Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V .1A SOT-363 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥0.351339 +30000：￥0.338953	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： 2 N-Channel (Dual) FET 功能： Logic Level Gate 漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8Ohm 10mA, 4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13pF 5V 功率 - 最大值： 150mW 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供应商器件封装： UMT6 温度： 150°C (TJ)
	UM6K1NTN Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V .1A SOT-363 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥0.382016 +6000：￥0.382016 +12000：￥0.382016 +24000：￥0.382016	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： 2 N-Channel (Dual) FET 功能： Logic Level Gate 漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8Ohm 10mA, 4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13pF 5V 功率 - 最大值： 150mW 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供应商器件封装： UMT6 温度： 150°C (TJ)
	UM6K1NTN Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V .1A SOT-363 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥0.329692	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： 2 N-Channel (Dual) FET 功能： Logic Level Gate 漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8Ohm 10mA, 4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13pF 5V 功率 - 最大值： 150mW 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供应商器件封装： UMT6 温度： 150°C (TJ)

UM6K1NTN参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	Active
FET 类型:	2 N-Channel (Dual)
FET 功能:	Logic Level Gate
漏源电压（Vdss）:	30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	100mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	8Ohm 10mA, 4V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.5V 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	13pF 5V
功率 - 最大值:	150mW
工作温度:	150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
封装/外壳:	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供应商器件封装:	UMT6
温度:	150°C (TJ)