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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	UM6K34NTCN Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥1.284173 +5000：￥0.713416	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平栅极，0.9V 驱动漏源电压（Vdss）： 50V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.2 欧姆 200mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 800mV 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 26pF 10V 功率 - 最大值： 120mW 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： UMT6 温度： 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	UM6K34NTCN Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6 下载数据手册	+1：￥0.870466 +10：￥0.764909 +30：￥0.71967 +100：￥0.663176 +500：￥0.638044	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平栅极，0.9V 驱动漏源电压（Vdss）： 50V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.2 欧姆 200mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 800mV 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 26pF 10V 功率 - 最大值： 120mW 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： UMT6 温度： 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	UM6K34NTCN Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6 下载数据手册射频晶体管	+1：￥0.664048	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平栅极，0.9V 驱动漏源电压（Vdss）： 50V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.2 欧姆 200mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 800mV 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 26pF 10V 功率 - 最大值： 120mW 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： UMT6 温度： 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	UM6K34NTCN Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6 下载数据手册射频晶体管	+140：￥1.887667 +500：￥1.887667 +1000：￥1.887667 +2000：￥1.871251	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平栅极，0.9V 驱动漏源电压（Vdss）： 50V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.2 欧姆 200mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 800mV 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 26pF 10V 功率 - 最大值： 120mW 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： UMT6 温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	UM6K34NTCN Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥0.495745 +6000：￥0.453219 +9000：￥0.431393 +15000：￥0.40669 +21000：￥0.391994	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平栅极，0.9V 驱动漏源电压（Vdss）： 50V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.2 欧姆 200mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 800mV 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 26pF 10V 功率 - 最大值： 120mW 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： UMT6 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	UM6K34NTCN Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥1.212724 +6000：￥1.108693 +9000：￥1.0553 +15000：￥0.99487 +21000：￥0.95892	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平栅极，0.9V 驱动漏源电压（Vdss）： 50V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.2 欧姆 200mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 800mV 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 26pF 10V 功率 - 最大值： 120mW 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： UMT6 温度： 150°C（TJ）
	UM6K34NTCN Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6 下载数据手册射频晶体管	+1：￥4.436604 +10：￥3.029129 +100：￥2.039309 +500：￥1.571784 +1000：￥1.415584	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： 150°C (TJ) 封装/外壳： 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供应商器件封装： UMT6
	UM6K34NTCN Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6 下载数据手册射频晶体管	+1：￥4.436604 +10：￥3.029129 +100：￥2.039309 +500：￥1.571784 +1000：￥1.415584	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： 150°C (TJ) 封装/外壳： 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供应商器件封装： UMT6

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	UM6K34NTCN Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6 下载数据手册未分类	+1：￥6.467328 +10：￥4.17889 +100：￥2.63668 +500：￥2.023114 +1000：￥1.542209	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平栅极，0.9V 驱动漏源电压（Vdss）： 50V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.2 欧姆 200mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 800mV 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 26pF 10V 功率 - 最大值： 120mW 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： UMT6 温度： 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	UM6K34NTCN ROHM(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET 10V Drive N Ch MOSFET 下载数据手册未分类	+3000：￥0.697747 +6000：￥0.660533 +9000：￥0.623319 +15000：￥0.604714 +24000：￥0.576804	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

UM6K34NTCN参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	2 N-通道（双）
FET 功能:	逻辑电平栅极，0.9V 驱动
漏源电压（Vdss）:	50V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	200mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	2.2 欧姆 200mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	800mV 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	26pF 10V
功率 - 最大值:	120mW
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装:	UMT6
温度:	150°C（TJ）