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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	UM6K31NTN Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 0.25A UMT6 下载数据手册射频晶体管	+1：￥0.487173 +10：￥0.449688 +30：￥0.442202 +100：￥0.419711	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 250mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.4 欧姆 250mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 15pF 25V 功率 - 最大值： 150mW 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： UMT6 温度： 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	UM6K31NTN Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 0.25A UMT6 下载数据手册射频晶体管	+20：￥1.051248 +100：￥0.710875 +800：￥0.521873 +3000：￥0.378125 +6000：￥0.359249	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 250mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.4 欧姆 250mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 15pF 25V 功率 - 最大值： 150mW 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： UMT6 温度： 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	UM6K31NTN Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 0.25A UMT6 下载数据手册射频晶体管	+1：￥0.41503	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 250mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.4 欧姆 250mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 15pF 25V 功率 - 最大值： 150mW 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： UMT6 温度： 150°C（TJ）

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	UM6K31NTN VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	UM6K31NTN VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+40：￥0.310506 +3000：￥0.29986 +9000：￥0.28911 +81000：￥0.2811	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	UM6K31NTN Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 0.25A UMT6 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 250mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.4 欧姆 250mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 15pF 25V 功率 - 最大值： 150mW 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： UMT6 温度： 150°C（TJ）
	UM6K31NTN Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 0.25A UMT6 下载数据手册未分类	+1：￥0.651365 +50：￥0.438987 +1500：￥0.394931 +3000：￥0.356354 +18000：￥0.350874	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 250mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.4 欧姆 250mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 15pF 25V 功率 - 最大值： 150mW 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： UMT6 温度： 150°C（TJ）
	UM6K31NTN Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 0.25A UMT6 下载数据手册射频晶体管	+1：￥0.696427 +200：￥0.448811 +1500：￥0.391277 +3000：￥0.346361 +45000：￥0.343815	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 250mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.4 欧姆 250mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 15pF 25V 功率 - 最大值： 150mW 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： UMT6 温度： 150°C（TJ）
	UM6K31NTN Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 0.25A UMT6 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥0.466523 +6000：￥0.451474 +9000：￥0.436425	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 250mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.4 欧姆 250mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 15pF 25V 功率 - 最大值： 150mW 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： UMT6 温度： 150°C（TJ）
	UM6K31NTN 授权代理品牌	UM6K31NTN VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+40：￥0.352844 +100：￥0.344046 +300：￥0.323441 +3000：￥0.317537	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	UM6K31NTN Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 0.25A UMT6 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥0.553921 +6000：￥0.530909 +9000：￥0.477818 +30000：￥0.47075 +75000：￥0.442424	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 250mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.4 欧姆 250mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 15pF 25V 功率 - 最大值： 150mW 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： UMT6 温度： 150°C（TJ）

UM6K31NTN参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	2 N-通道（双）
FET 功能:	逻辑电平栅极，2.5V 驱动
漏源电压（Vdss）:	60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	250mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	2.4 欧姆 250mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.3V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	15pF 25V
功率 - 最大值:	150mW
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装:	UMT6
温度:	150°C（TJ）