UPA2352T1P-E4-A厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

锐单电子商城，一站式电子元器件采购平台！

电话：400-990-0325

搜索 UPA2352T1P-E4-A 共 8 条相关记录

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	UPA2352T1P-E4-A Renesas Electronics America(瑞萨) 授权代理品牌	MOSFET N-CH DUAL LGA 下载数据手册射频晶体管	+1：￥3.365599 +200：￥1.311272 +500：￥1.256636 +1000：￥1.234782	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Renesas Electronics America Inc 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： 2 N 沟道（双）共漏 FET 功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源电压（Vdss）： 24V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 43 毫欧 2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.7nC 4V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 330pF 10V 功率 - 最大值： 750mW（Ta）工作温度： 150°C 安装类型：表面贴装型封装/外壳： 4-XFLGA 供应商器件封装： 4-EFLIP-LGA（1.4x1.4）温度： 150°C

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	UPA2352T1P-E4-A Renesas Electronics America(瑞萨) 授权代理品牌	MOSFET N-CH DUAL LGA 下载数据手册未分类	+938：￥2.972837 +4688：￥2.913623	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Renesas Electronics America Inc 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： 2 N 沟道（双）共漏 FET 功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源电压（Vdss）： 24V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 43 毫欧 2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.7nC 4V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 330pF 10V 功率 - 最大值： 750mW（Ta）工作温度： 150°C 安装类型：表面贴装型封装/外壳： 4-XFLGA 供应商器件封装： 4-EFLIP-LGA（1.4x1.4）温度： 150°C
	UPA2352T1P-E4-A Renesas Electronics America(瑞萨) 授权代理品牌	MOSFET N-CH DUAL LGA 下载数据手册未分类	+938：￥3.084447 +4688：￥3.023112	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Renesas Electronics America Inc 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： 2 N 沟道（双）共漏 FET 功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源电压（Vdss）： 24V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 43 毫欧 2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.7nC 4V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 330pF 10V 功率 - 最大值： 750mW（Ta）工作温度： 150°C 安装类型：表面贴装型封装/外壳： 4-XFLGA 供应商器件封装： 4-EFLIP-LGA（1.4x1.4）温度： 150°C
	UPA2352T1P-E4-A Renesas Electronics America(瑞萨) 授权代理品牌	MOSFET N-CH DUAL LGA 下载数据手册射频晶体管	+500：￥3.383622 +1000：￥3.367995 +5000：￥3.320995	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Renesas Electronics America Inc 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： 2 N 沟道（双）共漏 FET 功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源电压（Vdss）： 24V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 43 毫欧 2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.7nC 4V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 330pF 10V 功率 - 最大值： 750mW（Ta）工作温度： 150°C 安装类型：表面贴装型封装/外壳： 4-XFLGA 供应商器件封装： 4-EFLIP-LGA（1.4x1.4）温度： 150°C

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	UPA2352T1P-E4-A Renesas Electronics America(瑞萨) 授权代理品牌	MOSFET N-CH DUAL LGA 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Renesas Electronics America Inc 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： 2 N 沟道（双）共漏 FET 功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源电压（Vdss）： 24V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 43 毫欧 2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.7nC 4V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 330pF 10V 功率 - 最大值： 750mW（Ta）工作温度： 150°C 安装类型：表面贴装型封装/外壳： 4-XFLGA 供应商器件封装： 4-EFLIP-LGA（1.4x1.4）温度： 150°C

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	UPA2352T1P-E4-A Renesas Electronics America(瑞萨) 授权代理品牌	MOSFET N-CH DUAL LGA 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Renesas Electronics America Inc 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： 2 N 沟道（双）共漏 FET 功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源电压（Vdss）： 24V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 43 毫欧 2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.7nC 4V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 330pF 10V 功率 - 最大值： 750mW（Ta）工作温度： 150°C 安装类型：表面贴装型封装/外壳： 4-XFLGA 供应商器件封装： 4-EFLIP-LGA（1.4x1.4）温度： 150°C
	UPA2352T1P-E4-A Renesas Electronics America(瑞萨) 授权代理品牌	2-ELEMENT, N-CHANNEL MOSFET 下载数据手册未分类	+650：￥6.57732	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： 4-XFLGA Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： 150°C Power - Max： 750mW (Ta) FET Type： 2 N-Channel (Dual) Common Drain Drain to Source Voltage (Vdss)： 24V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 4A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 330pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs： 43mOhm @ 2A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 5.7nC @ 4V FET Feature： Logic Level Gate, 2.5V Drive Vgs(th) (Max) @ Id： 1.5V @ 1mA Supplier Device Package： 4-EFLIP-LGA (1.4x1.4) Part Status： Active

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	UPA2352T1P-E4-A Renesas Electronics America(瑞萨) 授权代理品牌	MOSFET N-CH DUAL LGA 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Renesas Electronics America Inc 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： 2 N 沟道（双）共漏 FET 功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源电压（Vdss）： 24V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 43 毫欧 2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.7nC 4V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 330pF 10V 功率 - 最大值： 750mW（Ta）工作温度： 150°C 安装类型：表面贴装型封装/外壳： 4-XFLGA 供应商器件封装： 4-EFLIP-LGA（1.4x1.4）温度： 150°C

UPA2352T1P-E4-A参数规格

属性	参数值
品牌:	Renesas Electronics America Inc
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	停产
FET 类型:	2 N 沟道（双）共漏
FET 功能:	逻辑电平栅极，2.5V 驱动
漏源电压（Vdss）:	24V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	4A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	43 毫欧 2A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	5.7nC 4V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	330pF 10V
功率 - 最大值:	750mW（Ta）
工作温度:	150°C
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	4-XFLGA
供应商器件封装:	4-EFLIP-LGA（1.4x1.4）
温度:	150°C