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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
UPA2350T1P-E4-A_射频晶体管

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Renesas Electronics America Inc

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: 2 N 沟道(双)共漏

FET 功能: 逻辑电平栅极,2.5V 驱动

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6A(Ta)

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 35 毫欧 3A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 8.6nC 4V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 542pF 10V

功率 - 最大值: 1.3W(Ta)

工作温度: 150°C

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 4-XFBGA

供应商器件封装: 4-EFLIP-LGA(1.62x1.62)

温度: 150°C

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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
UPA2350T1P-E4-A_射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Renesas Electronics America Inc

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: 2 N 沟道(双)共漏

FET 功能: 逻辑电平栅极,2.5V 驱动

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6A(Ta)

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 35 毫欧 3A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 8.6nC 4V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 542pF 10V

功率 - 最大值: 1.3W(Ta)

工作温度: 150°C

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 4-XFBGA

供应商器件封装: 4-EFLIP-LGA(1.62x1.62)

温度: 150°C

UPA2350T1P-E4-A参数规格

属性 参数值
品牌: Renesas Electronics America Inc
包装: 卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 停产
FET 类型: 2 N 沟道(双)共漏
FET 功能: 逻辑电平栅极,2.5V 驱动
漏源电压(Vdss): 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6A(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 35 毫欧 3A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 8.6nC 4V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 542pF 10V
功率 - 最大值: 1.3W(Ta)
工作温度: 150°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 4-XFBGA
供应商器件封装: 4-EFLIP-LGA(1.62x1.62)
温度: 150°C