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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	UT6J3TCR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	-20V PCH+PCH POWER MOSFET 下载数据手册射频晶体管	+1：￥2.03159 +200：￥1.693032 +500：￥1.354474 +1000：￥1.128688	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装： Tape & Reel (TR),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： 2 P-Channel (Dual) FET 功能： - 漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 85mOhm 3A, 4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.5nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2000pF 10V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 6-PowerUDFN 供应商器件封装： HUML2020L8 温度： 150°C (TJ)

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	UT6J3TCR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	-20V PCH+PCH POWER MOSFET 下载数据手册射频晶体管	+1：￥2.084923 +200：￥0.80687 +500：￥0.778568 +1000：￥0.764472	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装： Tape & Reel (TR),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： 2 P-Channel (Dual) FET 功能： - 漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 85mOhm 3A, 4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.5nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2000pF 10V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 6-PowerUDFN 供应商器件封装： HUML2020L8 温度： 150°C (TJ)

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	UT6J3TCR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	-20V PCH+PCH POWER MOSFET 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥1.544477	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装： Tape & Reel (TR),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： 2 P-Channel (Dual) FET 功能： - 漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 85mOhm 3A, 4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.5nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2000pF 10V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 6-PowerUDFN 供应商器件封装： HUML2020L8 温度： 150°C (TJ)

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	UT6J3TCR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	-20V PCH+PCH POWER MOSFET 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥3.778199	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装： Tape & Reel (TR),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： 2 P-Channel (Dual) FET 功能： - 漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 85mOhm 3A, 4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.5nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2000pF 10V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 6-PowerUDFN 供应商器件封装： HUML2020L8 温度： 150°C (TJ)
	UT6J3TCR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	-20V PCH+PCH POWER MOSFET 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： 150°C (TJ) 封装/外壳： 6-PowerUDFN 供应商器件封装： HUML2020L8
	UT6J3TCR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	-20V PCH+PCH POWER MOSFET 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： 150°C (TJ) 封装/外壳： 6-PowerUDFN 供应商器件封装： HUML2020L8

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	UT6J3TCR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	-20V PCH+PCH POWER MOSFET 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥ +：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装： Tape & Reel (TR),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： 2 P-Channel (Dual) FET 功能： - 漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 85mOhm 3A, 4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.5nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2000pF 10V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 6-PowerUDFN 供应商器件封装： HUML2020L8 温度： 150°C (TJ)

UT6J3TCR参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	Tape & Reel (TR),Tape & Reel (TR)
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	Active
FET 类型:	2 P-Channel (Dual)
FET 功能:	-
漏源电压（Vdss）:	20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	3A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	85mOhm 3A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	8.5nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2000pF 10V
功率 - 最大值:	2W
工作温度:	150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
封装/外壳:	6-PowerUDFN
供应商器件封装:	HUML2020L8
温度:	150°C (TJ)