品牌： Renesas Electronics America Inc

包装： 托盘

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

FET 类型： -

FET 功能： -

漏源电压（Vdss）： -

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： -

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： -

功率 - 最大值： -

工作温度： -

安装类型： -

封装/外壳： -

供应商器件封装： -

温度： -

品牌： Renesas Electronics America Inc

包装： 托盘

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

FET 类型： -

FET 功能： -

漏源电压（Vdss）： -

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： -

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： -

功率 - 最大值： -

工作温度： -

安装类型： -

封装/外壳： -

供应商器件封装： -

温度： -

Packaging： Bulk

Package / Case： SC-95

Mounting Type： Surface Mount

Configuration： N and P-Channel

Operating Temperature： 150°C

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

Power - Max： 1W (Ta)

Drain to Source Voltage (Vdss)： 8V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 2.8A (Ta)

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： -

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 70mOhm @ 2.8A, 5V, 105mOhm @ 1.9A, 2.5V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： -

FET Feature： -

Vgs(th) (Max) @ Id： 200mV @ 2.8A, 200mV @ 1.9A

Supplier Device Package： SC-95

品牌： Renesas Electronics America Inc

包装： 托盘

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

FET 类型： -

FET 功能： -

漏源电压（Vdss）： -

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： -

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： -

功率 - 最大值： -

工作温度： -

安装类型： -

封装/外壳： -

供应商器件封装： -

温度： -